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フォトクロシズムの動的機構の解明。

Research Project

Project/Area Number 04805083
Research Category

Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field 工業物理化学・複合材料
Research InstitutionEhime University

Principal Investigator

小林 健吉郎  愛媛大学, 工学部, 助教授 (20153603)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 松嶋 茂憲  愛媛大学, 工学部, 助手 (80229476)
Project Period (FY) 1992
Project Status Completed (Fiscal Year 1992)
Budget Amount *help
¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
Fiscal Year 1992: ¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
Keywordsフォトクロミック / ZnO / スパッタリング薄膜 / Co不純物準住
Research Abstract

酸化亜鉛にCo及びCaをドープした薄膜をスパツタソング法により作製し,これをGaをドープしたZnO及びAu薄膜電極ではさんだ三層構造素子を設計した。この3層構造素子を用いて光電流を測定し,分光特性及び時間依存性から光誘起電筒移動過程に関する情報を得た。CoをドープしたZnOでは光電流は710nmよりも短波長側で観測され,600〜650nmの光電流スペクトルは吸収スペクトルと一致していた。この結果は光電流発生過程にα‐α吸収による励起状態が関与していることを示唆している。実際この領域での光電流の時間依存生は時間と共に増加し 一定値に近づくという挙動を示す。理論的は考察からこの光電流の経時変化は初期状態が空の状態であることを意味しており,光励起状態の濃度が七二0(初期状態)では空である事と一致している。一方,500近くでの光電流は時間と共に減少し,初期濃度が空全に充満している状態から光電流が発生している事を示唆している,Co^<2+>の不純物準位からZnOの伝導帯への直接の光励起イオン過程が対応してると考えられる。
CuをドープしたZnOは400nmでピークを与える光電流スペクトルを与えるが,それ以外特徴的なピークは存在しない,バンドギャップ励起を行ないながら光電流を測定すると600nmでのみ、光電流は増大し、400nm700nmで大きな減少が認められた。これより,600nmでの光電流はZnOの価電子帯からCu^<2+>のEg状態への電筒移動過程であり、400nmは価電子帯からCa^<2+>のT_2g状態への光電筒移動過程であろうと帰属できた。また500nm700mnはCa^<2+>の光イオン化であり,Ca^<2+>のT_2g状態からの光イオン化が観測できない理由が明確になった。

Report

(1 results)
  • 1992 Annual Research Report
  • Research Products

    (5 results)

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All Publications (5 results)

  • [Publications] 松嶋 茂憲: "No_2 sensitive Ge-doped ZwD thin film" Chem. Lett. 1992. 323-326 (1992)

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  • [Publications] 小林 健吉郎: "Thearetical consideration on photochromism of an oxide doped with transition metel ions in strong electric field" Chem. Lett. 1992. 515-518 (1992)

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  • [Publications] 小林 健吉郎: "Mechanism of photoinduced charge transfer in Co(Li)-doped ZnO film" Jpn. J. Appl. Phys.31. L1079-L1082 (1992)

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  • [Publications] 小林 健吉郎: "Optical and electronic properties of Co-doped ZnO films prepared by sputteing method." J. Materials Science. 27. 5953-5957 (1992)

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  • [Publications] 小林 健吉郎: "Valence state of Co ions in a sputtering ZnO film" J. Materials Science Lett.12. 168-169 (1993)

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Published: 1992-04-01   Modified: 2016-04-21  

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