| Project/Area Number |
05224205
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Research Institution | Hokkaido University |
|---|
Principal Investigator |
中山 恒義 北海道大学, 工学部, 教授 (80002236)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
丹田 聡 北海道大学, 工学部, 助教授 (80217215)
|
|---|
| Project Period (FY) |
1993
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1993)
|
| Budget Amount *help |
¥3,600,000 (Direct Cost: ¥3,600,000)
Fiscal Year 1993: ¥3,600,000 (Direct Cost: ¥3,600,000)
|
|---|
| Keywords | 高温超伝導体 / S-I転移 / 相転移 / スケーリング |
|---|
| Research Abstract |
分子線エピタキシー(MBE)法により、良質のNdCeCuO単結晶薄膜を作製し、また本年度はNdCeCuF単結晶、BiSrCuO単結晶作製に成功した。これらのサンプルを用い以下のような研究を遂行した。
(1)S-I転移近傍において、普遍的臨界面抵抗(R=h/4e^2)の値をとるか精密な実験を遂行した。特に100mKまでの希釈冷凍器温度領域までの実験を行った。
(2)ゼロ磁場下において超伝導-絶縁体近傍における伝導機構、特に電荷ボソンの可変領域ホッピング(VRH)型伝導[R_<xx>=A[exp(To/T)^x]]の指数xの実験的決定を行った。
(3)磁場変調型S-I転移のダイナミクスを調べるため、超伝導マグネットを用い高磁場下における面抵抗の測定を行い、特にこれまで1.5Kしか測定できなかったのを、希釈冷凍器により100mK領域までの測定データをとれるようにした。
|
