| Project/Area Number |
05650030
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| Research Category |
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
表面界面物性
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| Research Institution | Tokyo Metropolitan University |
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Principal Investigator |
奥村 次徳 東京都立大学, 工学部, 教授 (00117699)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
志村 美知子 東京都立大学, 工学部, 助教授 (60087294)
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| Project Period (FY) |
1993
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1993)
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| Budget Amount *help |
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 1993: ¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
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| Keywords | 化合物半導体 / 砒化ガリウム / ショットキー接触 / 電気化学プロセス / めっき / 光電気化学エッチング |
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| Research Abstract |
電解めっき法を用いて、砒化ガリウム(GaAs)基板上に金属膜を堆積することを試み、以下のことを明らかにした。
(1)通常のめっき液中で、バイアス電圧と光照射の条件を選ぶことによって、GaAs表面の自然酸化膜を除去することができる(光電気化学エッチング)。この条件は、ブルタモグラムの測定から求められる。
(2)上記方法により得られたGaAs表面は、数nm程度の平坦性をもつ。
(3)GaAs基板を光電気化学エッチングした後、連続してめっきを行うことによって、ほぼ理想特性を示すGaAsショットキー接触の形成が可能である。
このプロセスをニッケル、金、錫、および鉛に適用し、GaAsに対するショットキー障壁高さ(phi_<Bn>)の仕事関数(phi_M)依存性を求めた。いわゆる界面定数(S=〓phi_<Bn>/〓phi_M)の値は0.1となり、障壁形成機構としてMIGSモデルを支持する結果が得られた。
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