フェナレノキシル型安定中性ラジカルの開発

Research Project

Project/Area Number	06218217
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Allocation Type	Single-year Grants
Research Institution	Osaka University
Principal Investigator	仲筋一弘大阪大学, 理学部, 教授 (60028230)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	豊田二郎岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助手 (70249952) 森田靖大阪大学, 理学部, 助手 (70230133)
Project Period (FY)	1994
Project Status	Completed (Fiscal Year 1994)
Budget Amount *help	¥1,600,000 (Direct Cost: ¥1,600,000) Fiscal Year 1994: ¥1,600,000 (Direct Cost: ¥1,600,000)
Keywords	中性ラジカル / 強磁性 / スピン分極 / ガルビノキシルラジカル / ニトロニルニトロキシドラジカル / フェナレニルラジカル
Research Abstract	ガルビノキシルなどの安定中性ラジカルの電子構造特性を分子設計の原型として,新分子性強磁性体の実現を目指す研究を行っている.本年度はジアザフェナレン類に各種の置換基を導入した新規誘導体を合成し,その電荷移動錯体を合成し,種々の物性を調べた.これらの誘導体を酸化して中性ラジカルを合成することを現在検討している.さらに,この研究の新しい展開をはかるためジアザフェナレン類の種々の基本的性質を調べた.先ず,ジアザフェナレン類はメタノール溶液での電子スペクトルの測定から,430nm付近及び450nm前後に吸収を有することが分かった.次にこれらのジアザフェナレン類を電子ドナー分子として用いた電荷移動錯体の合成を検討し,TCNQと混合することにより暗緑色〜黒色の粉末錯体が得た.これらの錯体は,赤外吸収及スペクトルにおけるTCNQのニトリル伸縮振動の波数の解析及び電子スペクトルが赤外吸収領域の低エネルギーに存在することから,部分電荷移動状態にあることが推定される.得られた錯体の粉末加圧成型ペレットでの四端子法による電導度測定の結果,いずれの錯体も室温での比抵抗の値から半導体であったが,非常に小さい活性化エネルギーを持つという特徴を示した.今後の課題は単結晶を作製し,結晶構造解析,電気伝導度測定などを行い,電子構造を明らかにすることである.