表面超構造制御原子層エピタキシ-のためのフリーラジカルの作製
| Project/Area Number |
06228219
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
松波 弘之 京都大学, 工学部, 教授 (50026035)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
木本 恒暢 京都大学, 工学部, 助手 (80225078)
冬木 隆 京都大学, 工学部, 助教授 (10165459)
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| Project Period (FY) |
1994
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1994)
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| Budget Amount *help |
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 1994: ¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
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| Keywords | メゾスコピック構造 / ラジカル / 分子線エピタキシ- / シリコンカーバイド / 表面超構造 |
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| Research Abstract |
本研究では、メゾスコピック構造を形成するために、半導体表面超構造の制御に有用な役割を果たすフリーラジカルの作製法を確立し、結晶成長過程を原子レベルで制御することを目指した。具体的には、立方晶シリコンカーバイドの結晶成長に着目し、1]フリーラジカル作製とその制御、2]表面超構造変化の動的解析、3]成長素過程の解明、の各研究課題を遂行した。本年度の成果は次の通りである。
1.ガスソース分子線成長装置において、原料ガスを熱分解することによりフリーラジカルを生成した。しきい値イオン化質量分析法で定量的に解析すると同時に、その量を広い範囲で制御できることを明らかにした。
2.Si表面の極薄SiC層形成過程(炭化過程)において、その膜厚とラジカル量が比例関係にあることを示した。表面状態は、ラジカル量、形成時間に依存することを明らかにし、平坦な表面が得られる条件を確立した。
3.得られた鏡面SiC層上への単結晶SiCのヘテロエピタキシャル成長において、原料流量の最適化により原子層レベルで平坦な成長層が得られた。成長中の表面超構造と結晶成長過程との関連について検討し、二次元成長が支配的であることを明らかにするとともに、原子層レベルでの成長制御の可能性を示した。
以上の成果により所期の目的は達成できた。得られた成長層の結晶性の詳細な評価や、異なったラジカル種の適用が、今後、必要であると考えられる。
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Report
(1 results)
Research Products
(2 results)
