有機伝導体における角度依存磁場効果

Research Project

Project/Area Number	06243207
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Allocation Type	Single-year Grants
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	家泰弘東京大学, 物性研究所, 教授 (30125984)
Project Period (FY)	1994
Project Status	Completed (Fiscal Year 1994)
Budget Amount *help	¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000) Fiscal Year 1994: ¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000)
Keywords	角度依存磁気抵抗振動 / グラファイト層間化合物 / 垂直伝導 / 磁気トルク
Research Abstract	空間的に変調されたベクトルポテンシャル下の2次元電子系において幾何学共鳴効果による磁気抵抗振動効果が現れることは,我々が以前から理論的に予測していた.今回我々は,GaAs/AlGaAsヘテロ界面2次元電子系に微細加工した強磁性金属ゲートを付けた試料を作成し,この効果を実験的に実証した.また,円柱状のフェルミ面を持つ擬2次元的層状金属に磁場をかけたとき垂直伝導に現れる角度依存磁気抵抗振動効果は,以前に有機伝導体およびGaAs/AlGaAs半導体超格子において観測されていたが,今回新たにグラファイト層間化合物SbCl_5-GICにおいて観測した.そのふるまいはほぼ標準モデルで説明できるが振動の位相因子が標準モデルからかなりずれている点今後の検討議題である.