ホモエピタキシ-基板用のGaNバルク単結晶の電気伝導度制御に関する研究
| Project/Area Number |
06650014
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| Research Category |
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Chubu University (1995)
Nagoya University (1994) |
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Principal Investigator |
後藤 英雄 中部大学, 工学部, 助教授 (00195942)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
平松 和政 名古屋大学, 工学部, 助教授 (50165205)
デートプロム ティーラデ 名古屋大学, 工学研究科, 特別研究員
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| Project Period (FY) |
1995
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1995)
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| Budget Amount *help |
¥2,300,000 (Direct Cost: ¥2,300,000)
Fiscal Year 1995: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 1994: ¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
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| Keywords | GaN / バルク単結晶 / ハイドライド気相成長 / ホモエピタキシ- / SiO_2マスク / 選択成長 / ZnOバッファ層 / 伝導性制御 / キャリア濃度 / SiCl_4 / 抵抗率 |
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| Research Abstract |
現在、(0001)サファイア基板上にスパッタリングで堆積したZnOバッファ層上に、ハイドライド気相成長(HVPE)法により、、アコドープバルクGaN単結晶を作製している。この方法では、キャリア濃度10^<16>cm^<-3>の高品質n型単結晶が得られる。この結晶を基板として、Mg濃度7×10^<19>cm^<-3>のP型GaNを有機金属化学気相成長法によりホモエピタキシャル成長させてPn接合として、青色発光ダイオードを実現した。Pn接合の電流・電圧特性は直列抵抗成分と、ピットにおけるリ-ク電流により、6Vの立ち上がりと、低い逆方向の耐圧であった。
サファイヤ基板上に堆積したZnOバッファ層上に、SiO_2をスパッタし、ZnO上とSiO_2上の成長の差異を利用して選択成長を行った。SiO_2マスクが無い場合と同様の平坦なGaN膜が成長し、SiO_2上には、六角すい状のGaN結晶粒がわずかに成長した。
SiO_2マスクとの境界では、GaNには{1TO1}のファセットが現れた。また、数十μmの幅で、数μmの高さのエッヂ成長が観測された。ZnO上、SiO_2上どちらのGaNも青色域にピークを持つルミネセンスが観測された。
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Report
(2 results)
Research Products
(2 results)
