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雑音を用いた金属-GaAs界面近傍の欠陥の測定

Research Project

Project/Area Number 06650036
Research Category

Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field 表面界面物性
Research InstitutionTohoku University

Principal Investigator

鈴木 哲  東北大学, 電気通信研究所, 助手 (90171230)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 水野 皓司  東北大学, 電気通信研究所, 教授 (30005326)
Project Period (FY) 1994
Project Status Completed (Fiscal Year 1994)
Budget Amount *help
¥1,700,000 (Direct Cost: ¥1,700,000)
Fiscal Year 1994: ¥1,700,000 (Direct Cost: ¥1,700,000)
Keywords雑音 / GaAs / 界面 / 欠陥
Research Abstract

本研究では、金属-GaAs界面近傍の欠陥を感度良く測定するために、先ず直径0.3μmのショットキ・ダイオードの製作プロセスの改善を行い、次に、深い準位をもつ金を不純物としてGaAs表面に拡散させたダイオードの雑音の測定を試みた。
1 従来用いていた電子ビームレジストは、耐ドライエッチ性が十分でないだけでなく、材料にフッ素を含んでいるため、試料表面にポリマーが堆積しやすく、ドライエッチング後のプロセスの不安定性の原因となっていた。このポリマーは、ドライエッチング、表面クリーニング、エピ層陽極酸化-エッチング、ショットキ電極メッキ等の工程で影響を与え、均一性の良いダイオード製作の妨げになっていた。そのため、ダイオードの雑音特性を測定する際、データーの再現性を得ることが困難であった。
2 今回新たにノボラック系の電子ビームレジストの供給(試作品)を受け、耐ドライエッチ性が飛躍的に向上していること、ポリマーの堆積も少なくポリマーが酸素プラズマやオゾン等を使用せずともほぼ除去できること、が明らかになり、均一性の良いダイオードを製作できるようになった。
3 雑音と金属-GaAs界面近傍の欠陥との関係を定量的に明らかにするため、不純物として金をGaAs表面に拡散させたダイオードを製作した。先ず、温度500度C、1時間の条件で拡散させた場合についてダイオードの雑音特性を測定したが、現在のところ、拡散した金による明らかな雑音特性の変化は観測されていない。今後、拡散の条件を変えたり、不純物としてインジュームを用いた場合について、雑音特性の変化を求め、雑音と欠陥の関係を定量的に明らかにする予定である。

Report

(1 results)
  • 1994 Annual Research Report
  • Research Products

    (5 results)

All Other

All Publications (5 results)

  • [Publications] 鈴木 哲: "TH_z帯検出器/ミキサ-用ショットキ・ダイオードの開発" 電子情報通信学会 秋季大会講演論文集. 2. 94 (1994)

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  • [Publications] C.M.Mann: "Measurement and Study of The Emluding Impedance Presented lythe Whisleer Antenna of A Schottly Diode CornerCube Mixer" International Journal of Infvaved and Millimeter Waves. Vol.15. 1867-1882 (1994)

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  • [Publications] T.Nozokido: "Optimization of A Schottlay Barrier Mixer Disde in The Submillimetter Wave Region" International Journal of Infraved and Millimeter Waves. Vol.15. 1851-1866 (1994)

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  • [Publications] T.Nozokido: "Optimazed Design of GaAs Sohottpy-Barrier Diodes Mixer/Detector for The Traherty Region" The 19th International Conterence on Infravdd and Millimeter Waves.33-34 (1994)

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  • [Publications] J.J.Chang: "Fabrication of GaAs Sohottky-Barrier Diodes Mixer/Detector for the Terahertz Region" The 19th International Conterence on Infraved and Millimeter Waves. 35-36 (1994)

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Published: 1994-04-01   Modified: 2016-04-21  

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