| Project/Area Number |
06750319
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Toyohashi University of Technology |
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Principal Investigator |
井上 光輝 豊橋技術科学大学, 電気・電子工学系, 助教授 (90159997)
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| Project Period (FY) |
1994
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1994)
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| Budget Amount *help |
¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 1994: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
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| Keywords | 薄液膜法 / 多層膜 / ME効果 / 磁歪 / 超磁歪 / 軟磁性 / 無電解メッキ / アモルファス |
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| Research Abstract |
1.薄液膜法によるFeBアモルファス薄膜の作成・・・薄液膜法を用いてFeBアモルファス薄膜の作製を試みた。独立に用意した反応液A(硫酸第一鉄+アンモニア+ロッシェル塩)と反応液B(水素化ホウ素ナトリウム+アンモニア)を活性化処理を行ったガラス基板上の狭領域中で無電解メッキ処理し、基板上に金属光沢をもつ薄膜試料を得た。組成分析、磁気特性評価から、得られた試料はホウ素を40at.%以上含むアモルファス状態にある。このホウ素含有量は、従来通常のメッキ法で得られるものの2倍以上という高いものであり、薄液膜法で製膜された試料の特徴といえる。ホウ素濃度は反応液B中の水素化ホウ素ナトリウム濃度で制御できるので、高磁歪軟磁気特性を持つことで知られるアモルファスFe_<80>B_<20>を目標組成として製膜を行う予定である。
2.高周波スパッタ法によるTbFe/FeB系超磁歪軟磁性薄膜材料の開発・・・優れた電気磁気機能性膜を実現するには磁性膜に磁歪が大きくかつ軟磁性を示すものが必須である。この観点から、1のアモルファスFeB薄膜とは別に、高周波スパッタ法でアモルファスTbFe/FeB多層構造膜を作製し、その磁気及び磁気弾性特性を詳しく調べた。その結果、多層構造を導入することで、TbFe膜に匹敵する超磁歪特性を持ちながら保磁力が10Oe以下とういう極めて優れた超磁歪軟磁性薄膜試料を得た。この薄膜試料を基礎として、今後電気磁気機能性薄膜材料開発を行う予定である。
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