| Research Abstract |
本研究の目的は,プラズマCVD法による銅薄膜形成機構を調べ,次世代集積回路内の配線材料としての高品質銅薄膜を,プラズマCVD法を用いて作製するための指針を得ることである.
本研究によって以下の結果を得た.
1.従来困難であった有機金属材料を高精度にしかも長時間安定に再現性良く供給可能な,有機金属材料安定供給装置を独自に開発した.
2.プラズマCVD法による銅薄膜形成に重要な役割を果たしているCuとHの発生量を,材料ガスのH_2による希釈率により大きく変化させることが可能である.
3.銅薄膜形成の速度は同一条件下でも基板の種類により3倍程度の差が生じるとともに,膜の組成も基板の種類により変化する。
4.基板温度が室温でも銅が60%以上を占める薄膜を作製可能である.さらに基板温度を170℃まで上げることにより銅が95%以上,電気抵抗率2.23μΩcm以下の高品質銅薄膜が得られる.
以上の結果は,銅薄膜を任意の場所にのみ成膜する選択プラズマCVDを実現できる可能性があることを示唆している.
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