| Project/Area Number |
07215283
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Tokyo Polytechnic University |
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Principal Investigator |
岡野 光俊 東京工芸大学, 工学部, 助教授 (30194377)
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| Project Period (FY) |
1995
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1995)
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| Budget Amount *help |
¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
Fiscal Year 1995: ¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
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| Keywords | 電解生成アニオン / バックバイティング / イオンペア / ポリシラン / 電解合成 / NMR / フルオレン |
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| Research Abstract |
四つのテーマについて研究を試みた結果、次の二つのテーマにおいて成果を得ることができた。
1.一般に良く知られた炭素化合物の電解生成アニオンに関する研究。アントラセン、9,10-ジフェニルアントラセン、ペリレン、フルオレン、インデンの電解によりアニオンを生成することができたので、UVおよびNMRを用いた研究を行った。溶媒を変えた実験や温度を変化させた実験において、従来の金属を対カチオンとするアニオンとは異なる結果を得た。アニオンとカチオンとの対の作り方(contact ion pariなど)の観点からデータの解釈を試みているが、さらに詳細な実験を行う必要がある。蛍光を利用した実験や反応性を調べる実験を今後行うべきと考えられる。
2.ポリシランや歩折りゲルマンの合成の過程において見られるバックバイティング現象に関する研究。電気化学的方法がこの現象の解明に適しているという着想に基づき研究を行った結果、多くが明らかとなった。(1)電気化学的なポリシランやポリゲルマンの合成法においてもバックバイティングが起こること、(2)バックバイティングの原因は、アニオンであること。(3)アニオンの攻撃を受けた高分子の分解は速やかであり、他の高分子に影響(電荷の移動など)を与えずにその分子の分子量が完全に低下すること、(4)ジアルキルの高分子よりもフェニル基を含む高分子において、反応が速いこと。(5)ポリゲルマンよりもポリシランにおいての方が遅いこと(当初の予測とは反対の結果となった。)(6)バックバイティテングの反応は、低温において遅くなるので合成の過程においてバックバイティングを抑制し、高分子量体を高収率で得るためには、比較的低い温度での合成が望ましいこと。
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