化合物半導体結合量子井戸構造における量子電子輸送現象とジョセフソン効果

Research Project

Project/Area Number	07227203
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Allocation Type	Single-year Grants
Research Institution	Tohoku University
Principal Investigator	大野英男東北大学, 電気通信研究所, 教授 (00152215)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	松倉文礼東北大学, 電気通信研究所, 助手 (50261574) 澤田安樹東北大学, 理学部, 助教授 (90115577) 江澤潤一東北大学, 理学部, 助教授 (90133925)
Project Period (FY)	1995 – 1996
Project Status	Completed (Fiscal Year 1995)
Budget Amount *help	¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000) Fiscal Year 1995: ¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
Keywords	結合量子井戸構造 / 分数量子ホール効果 / ジョセフソン効果 / 化合物半導体 / GaAs / AlGaAs / 分子線エピタキシ
Research Abstract	本研究は、結合量子井戸の量子電子輸送現象をとりあげ、高移動度を有する結合2重量子井戸構造の結晶成長と、2層の電子系それぞれに独立にコンタクトを有する素子の製作を行い、それを用いて低温・強磁場中での2層の2次元電子系の輸送現象を明らかにすることを目的としている。本年度の研究では、分子線エピタキシによる結晶成長と測定用デバイス作製装置の製作、さらにデバイスの試作を行い、低温・高磁場下のヘテロ構造の測定準備を進めた。具体的には、2層の電子層それぞれにオーミックコンタクトを取るためにフロントゲートとバックゲートを使って上と下のチャネルをそれぞれ切るデバイス構造を作製するプロセスを開発し、実際にフロント、バックゲートの動作を確認した。また低温で高移動度(50万cm^2/Vs)を有する試料について、希釈冷凍器つき超伝導磁石で8mK、14.5Tまでの測定を行い2重量子井戸構造でで分数量子ホール効果の観測されることを確認した。