| Project/Area Number |
07227216
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
邑瀬 和生 大阪大学, 理学部, 教授 (50028164)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
音 賢一 大阪大学, 理学部, 助手 (30263198)
鷹岡 貞夫 大阪大学, 理学部, 助教授 (50135654)
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| Project Period (FY) |
1995
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1995)
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| Budget Amount *help |
¥2,300,000 (Direct Cost: ¥2,300,000)
Fiscal Year 1995: ¥2,300,000 (Direct Cost: ¥2,300,000)
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| Keywords | 2次元電子系 / 量子ホール効果 / エッジ状態 / 電気容量 / アンチドット / 磁気電子フォーカス効果 / 非局所伝導 |
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| Research Abstract |
GaAs/AlGaAs2次元電子系を様々な形状に加工した試料における量子伝導を電気容量の磁場変化の精密測定と電気伝導度の測定を手段として研究した。
(1)量子ホール状態での電気容量の測定により、通常のメサエッチングで作製したホールバ-でのエッジチャネルの拡がりがμmのオーダーであることを見いだした。また、量子ホール・プラトーでの局在状態の電気伝導度を電気容量の測定から10^<-12>S程度まで求め、その温度依存性を調べた。
(2)様々な形状のGaAs/AlGaAs試料で非局所抵抗を測定し、エッジチャネルとバルク状態とのエネルギー緩和を調べた。
(3)アンチドット構造に配列の乱れや非対称性を導入し、磁気抵抗に現れる振動について詳しく調べた。電流と直交した方向の伝導度が振動の磁場周期を決めていることが分かった。
(4)様々な試料構造で磁気電子フォーカス効果を調べ、バリスティック伝導における端子からの電子の出射分布や電子の反射について調べた。
(5)多結晶Si-MOS FETの低温での電気伝導を詳しく調べ、弱局在からホッピング伝導を示す強局在にわたる領域を研究した。
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