半導体中の希土類不純物の構造最適化及び4f殻内遷移発光に関する多重項計算
| Project/Area Number |
07230274
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Research Institution | Kagoshima University |
|---|
Principal Investigator |
伊藤 伸一 鹿児島大学, 工学部, 助手 (40264452)
|
|---|
| Project Period (FY) |
1995
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1995)
|
| Budget Amount *help |
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 1995: ¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
|
|---|
| Keywords | 希土類 / 多重項 / 分子軌道計算 / 結晶場分裂 |
|---|
| Research Abstract |
本研究は、半導体(GaAs)中にドープされた希土類原子(Er)の発光メカニズムの解明を目的とした。発光は、4f電子の殻内多重項間遷移による。本研究では発光に関する4f電子の多重項を求め、実験値との比較を行なった。方法は非相対論的第一原理分子軌道法を用いた。GaAs中の酸素の影響について考察するため、モデルクラスターとして正四面体型(ErO_4)^<5->,(ErAs_4)^<3+>を考え、SCF-CI計算により一電子エネルギー及び多重項を求めた。その結果、2つのクラスターにおいて4f軌道の結晶場分裂の大きさは、(ErO_4)^<5->が0.04(eV)、(ErAs_4)^<3+>が0.22(eV)であった。これはイオン結合性と、共有結合性による4f軌道と結晶場との化学結合の違いによるものである。このことは、4f軌道と結晶場の価電子の軌道エネルギーの差が、(ErO_4)^<5->で53.7(eV)、(ErAs_4)^<3+>で24.7(eV)とイオン性結合がより大きなエネルギーギャップを示すことにも現れている。多重項分裂の大きさについても、同じ傾向が見られ、(ErO_4)^<5->における多重項分裂のエネルギー(90cm^<-1>)は、酸素ドープ時のスペクトルに現れる小さな結晶場分裂(70〜80cm^<-1>)に近い値である。(ErAs_4)^<3+>の結晶場分裂は、570(cm^<-1>)である。これは共有結合性の強さによると考えられる。
以上のことから、酸素によりイオン結合性が強まり、4f軌道の結晶場分裂が小さくなることが分かった。これは、実験事実と同じ傾向である。半導体中においても、酸素はErの近傍に存在すると推察される。
|
Report
(1 results)
Research Products
(2 results)
