水素結合型遷移金属錯体に基づく分子性導体の開発

Research Project

Project/Area Number	07232222
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Allocation Type	Single-year Grants
Research Institution	Osaka University
Principal Investigator	中筋一弘大阪大学, 理学部, 教授 (60028230)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	豊田二郎大阪大学, 理学部, 助手 (70249952) 森田靖大阪大学, 理学部, 助手 (70230133)
Project Period (FY)	1995
Project Status	Completed (Fiscal Year 1995)
Budget Amount *help	¥2,300,000 (Direct Cost: ¥2,300,000) Fiscal Year 1995: ¥2,300,000 (Direct Cost: ¥2,300,000)
Keywords	電荷移動 / 遷移金属錯体 / 分子性導体 / 分離積層構造
Research Abstract	分子の対称性は分子の配列すなわち結晶構造に大きな影響を与えると考える。新しい分子性導体の開発に向け,対称中心性を持つベンゾキノン型アクセプターを用いて水素結合型電荷移動錯体の研究を行っている。今回は特に,シアナニル酸骨格(H_2CNA)を選び,TTF型ドナーの電荷移動錯体の合成を行った。以下,主に結晶構造解析の結果について報告する。ドナーとしては,TTF型ドナー,アミの芳香族型ドナー,縮合芳香族炭化水素を選び,これらとの電荷移動錯体を合成した。TTF型ドナーとして,ET,TMTTF,OMTTFとの錯体が良好な単結晶が得られ,X線結晶構造解析を行うことができた。ETとの錯体の結晶構造はETが弱い2次元性をもってシート状の配列をしており,アクセプターのシアナニル酸は水素結合によるリボン構造をとっている。TMTTFとの錯体も同様にアクセプターは水素結合によるリボン構造をとっているが、ドナーは1次元のカラム構造をとっている。OMTTFとの錯体はドナーは3量体を形成し,これにシアナニル酸のアニオンが積層し,ドナーとアクセプターの比が3:1の交互積層カラムを形成している。