異種材料(接合)界面の価電子状態分析システム

• Project/Area Number: 07555515
• Research Category: Grant-in-Aid for Developmental Scientific Research (B)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: Material processing/treatments
• Research Institution: Tokyo Institute of Technology
• Principal Investigator: 高橋 邦夫 東京工業大学, 工学部, 助手 (70226827)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 関根 哲 日本電子株式会社, 課長 ; 恩澤 忠男 東京工業大学, 工学部, 教授 (10016438)
• Project Period (FY): 1995
• Project Status: Completed (Fiscal Year 1995)
• Keywords: AGS / 界面

Research Abstract

異種材料の接合プロセスにおいて,材料選択や接合条件選択を合理的に行うためには,接合界面の化学結合状態(原子間相互作用),すなわち界面の電子状態を知ることが必要不可欠であるという立場に立って,電子線収束技術,超格子多層膜積層技術に,離散データ解析技術などを応用し,AESなどの電子スペクトル計測結果から,界面固有のスペクトルを抽出するシステムを試作した.
使用するAESをコントロールしている表面分析システムに,計算機を接続し,データを取り込めるようにした.また,VAMAS projectで構築された標準データベースの資産を利用するため,異なる計測器間でデータ転送できるようにした.照射ビームによる励起域中の界面構成原子密度を考慮して,理想的な重量スペクトルを試作し,修正したDavidon-Fletcher-Powell(DFP)法の妥当性を確認した.明らかにしたその適応限界から,界面特有の情報を取り出すためのs/nを求めたが,実際に実験で確かめることの出来ないオーダーの時間が必要で有ることが解った.有る程度の危険率を見込んで実際面への適応性を確認するため,単純化した系での分析を試みた.