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歪導入による半導体量子ナノ構造の偏光特性の制御

Research Project

Project/Area Number 07650005
Research Category

Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Applied materials science/Crystal engineering
Research InstitutionThe University of Tokyo

Principal Investigator

矢口 裕之  東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (50239737)

Project Period (FY) 1995
Project Status Completed (Fiscal Year 1995)
Budget Amount *help
¥2,500,000 (Direct Cost: ¥2,500,000)
Fiscal Year 1995: ¥2,500,000 (Direct Cost: ¥2,500,000)
Keywords半導体量子細線 / 半導体レーザ / 歪 / 偏光 / 有機金属気相エピタキシ-
Research Abstract

本研究の主たる目的は,引っ張り歪の導入によって半導体量子細線構造における発光の偏光特性の制御が可能であることを実証することにある。そこでまず最初にGaAsP/AlGaAs量子井戸を作製し,引っ張り歪を導入して発光の偏光特性を制御できることを実験的に検証した。
本研究では,フォトリソグラフィー技術で基板にV溝状の加工を施した後,有機金属気相エピタキシ-法によって量子細線構造を作製するという方法をとっている。この場合,AlGaAs障壁層を成長する際にはV溝の形状を鋭く保ち,一方,GaAsPからなる細線層を成長する際にはV溝の底部に厚く成長することが要求される。そこで良好な形状を有する細線構造を作製する成長条件を決定することが重要な位置を占める。その過程においてV溝底部にGa組成の大きいAlGaAs混晶が局所的に成長することがわかった。また,その部分の寸法が成長温度・Al供給量等の成長条件に依存することが明らかになり,これに基づく新しい量子細構造作製の提案を行った。さらに最適な成長条件に基づいてGaAsP/AlGaAs引っ張り歪量子細線構造を作製した。フォトルミネッセンスによって発光の偏光特性を検討した結果,細線の寸法を小さくするにしたがって,基板に平行な偏光から基板に垂直な偏光へと変化していくことが明らかになり,歪導入によって偏光の制御が可能であることが実証された。
以上の実験結果に基づいて細線の寸法を決定し,量子細線方向と垂直な方向に対して偏光の異方性が解消された量子細線構造レーザを試作した。電流注入量が発振しきい値下では偏光の異方性のほとんどない発光が確認された。レーザ特性としてはしきい値電流が高いなどの問題があり,さらに今後の検討を要する。

Report

(1 results)
  • 1995 Annual Research Report
  • Research Products

    (5 results)

All Other

All Publications (5 results)

  • [Publications] W.Pan,H.Yaguhi,K.Onabe,Y.Shiraki and R.Ito: "Tensile-strained GaAsP/AlGaAs quantam well grown by Iow-pressure metalorganic vapor phase epitaxy" Journal of Applied Physics. 78. 3517-3519 (1995)

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      1995 Annual Research Report
  • [Publications] W.Pan,H.Yaguchi,K.Onabe,Y.Shiraki and R.Ito: "Composition profile of AlGaAs epilayer on a V-grooved substiate grownby low-pressure metalorganic Vapor phase epitaxy" Applied Physics Letters. 67. 959-961 (1995)

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      1995 Annual Research Report
  • [Publications] W.Pan,H.Yaguchi,K.Onabe Y.Shiraki and R.Ito: "Growth teinperature dependence of spontaneous vertical quantum well width on V-grooved substrates by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy" Journal of Crystal Growth. 158. 205-209 (1996)

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      1995 Annual Research Report
  • [Publications] W.Pan,H.Yaguchi,K.Onabe,R.Ito,N.Usami and Y.Shiraki: "RectanguIar AlGaAs/AlAs quantumwires by using the spcntaneous vevtical quantum wells" Japanese Journal of Applied Physics. 35(発表予定). (1996)

    • Related Report
      1995 Annual Research Report
  • [Publications] W.Pan,H.Yaguchi,K.Onabe,R.Ito,N.Usami and Y.Shiraki: "Polarization properties of GaAsP/AlGaAs tensilely strained quantum wire structures on V-grooved GaAs substrates" Institute of Physics ConferenceSeries. (発表予定). (1996)

    • Related Report
      1995 Annual Research Report

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Published: 1995-04-01   Modified: 2016-04-21  

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