スピン分解軟X線出現電位分光法による磁性体の電子状態の研究

• Project/Area Number: 07740308
• Research Category: Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
• Allocation Type: Single-year Grants
• Research Field: 固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
• Research Institution: Gakushuin University
• Principal Investigator: 藤井 純 学習院大学, 理学部, 助手 (30265574)
• Co-Investigator(Kenkyū-buntansha): 溝口 正 学習院大学, 理学部, 教授 (30080443)
• Project Period (FY): 1995
• Project Status: Completed (Fiscal Year 1995)
• Budget Amount: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000); Fiscal Year 1995: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
• Keywords: スピン偏極電子線 / 軟X線出現電位分光法 / 磁性体 / 電子状態

Research Abstract

GaAsを用いたスピン偏極電子線は約30%のスピン偏極度を有すると多くの報告があるが、電子輸送系での二次電子の混入により試料照射位置でのスピン偏極度の低下に注意しなければいけない。そこで出現電位分光の実験を行う前に、まず新たに製作した散漫散乱型低エネルギーモット検出器(Ek=150eV)をスピン偏極電子線源に接続し、電子線源のスピン偏極の確認とモット検出器の性能評価を行った。
散漫散乱型低エネルギーモット検出器では、スピン偏極度の絶対値の測定は本来できないが、報告されているデータとの比較により、我々のスピン偏極電子線源のスピン偏極度を見積もった。電子線の運動エネルギーが150eVのときに測定された左右の非対称度は約0.03であり、報告されているSherman関数が0.1であることから,スピン偏極度は約30%であり、大きな減偏極は起こっていないことが確かめられた。
同時にモット検出器の性能評価も行い、検出器のFigure of Merit (Sherman関数の二乗×反射強度)として、1×10^<-4>という値を得た。この値も報告されているものと同等な値である。
現在Ni薄膜についてのL殻励起の軟X線出現電位分光法による測定を実施中である。