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¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
Fiscal Year 1995: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
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| Research Abstract |
本研究では,高品質銅薄膜形成法の開発を目的として,プラズマCVD法による銅薄膜形成を調べ,以下のような結果を得た.
(1)有機金属材料のH_2希釈率を70から88%以上に増加すると膜質が良くなり,膜中の銅濃度とグレインサイズが各々70から99%以上,10から100nm以上になり,これに伴い抵抗率も9から2μΩcmへと低下する.
(2)高品質膜が得られるH_2希釈率が高い場合にはプラズマ中のH原子の発光が強く,Hが膜の不純物除去に重要であることが示唆された.
(3)光吸収法により測定したプラズマ中の銅原子の密度は10^9cm^<-3>程度であり,得られた成膜速度5nm/minを説明するのに必要な密度より2桁低い.
(4)質量分析器を用いて有機金属材料Cu(hfa)_2の解離イオン化断面積の予備的な結果を得た.
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