InAs系ヘテロ極微構造における量子輸送現象とデバイス応用
| Project/Area Number |
08217217
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Osaka Institute of Technology |
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Principal Investigator |
井上 正崇 大阪工業大学, 工学部, 教授 (20029325)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
佐々 誠彦 大阪工業大学, 工学部, 助教授 (50278561)
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| Project Period (FY) |
1996
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1996)
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| Budget Amount *help |
¥1,800,000 (Direct Cost: ¥1,800,000)
Fiscal Year 1996: ¥1,800,000 (Direct Cost: ¥1,800,000)
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| Keywords | インジウム砒素 / 量子効果 / メゾスコピック構造 / 1次元電子 / ヘテロ接合 |
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| Research Abstract |
前年度までの研究成果を基礎として、InAs/AlGaSbヘテロ構造のMBE成長の改良を進め、電気的特性の良い2次元電子系の形式について研究を行い、成果を得た。2次元電子濃度の制御方法についても、新しい2重量子井戸構造の利用により研究成果を得た。InAsヘテロ構造をフォトリソグラフィーにより量子細線に加工し、選択エッチングの技術を駆使することにより、比較的均一な100nm〜1μmの線幅をもつ量子細線を作製することができた。その磁気抵抗を極低温で測定した結果、弱い局在によると思われる。負の大きな磁気抵抗を観測した。その磁界依存性が高磁場領域まで見られる結果については、さらに理論的な解析を行う必要がある。これらの指定1次元電子に高電界を印加して、その電子速度の測定を行った。その結果、細線幅が小さく、かつ細線長が増大するにしたがって速度が増大することが分った。これは1次元電子系の電子フォノン相互作用が小さくなるためと考えられ、デバイス応用上重要な結果である。
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Report
(1 results)
Research Products
(5 results)
