ウエハ浮上型枚葉式表面処理装置の開発とその特性解析
| Project/Area Number |
08238203
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Yamagata University |
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Principal Investigator |
都田 昌之 山形大学, 工学部, 教授 (30005433)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
宍戸 昌広 山形大学, 工学部, 助教授 (20196380)
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| Project Period (FY) |
1996
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1996)
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| Budget Amount *help |
¥2,400,000 (Direct Cost: ¥2,400,000)
Fiscal Year 1996: ¥2,400,000 (Direct Cost: ¥2,400,000)
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| Keywords | 半導体 / CVD装置 / 製膜 / シリコンウエハ / 減圧操作 / 浮上回転 / FTES |
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| Research Abstract |
既に開発した気流搬送システムは、ウエハ表面の清浄度を保ちながらウエハの輸送を可能にした^<1,2)>。また、このシステムが新たな表面処理装置として応用が可能であることが示唆された^<3)>。ところで、ウエハ表面を処理する場合には、その形状が異なるもの、その表面に微細な凹凸を有するものが主な対象となる。また、表面処理操作の中には装置内を減圧にする操作も含まれる。そこで本研究では、先ず、微細な凹凸表面を有するウエハを浮上させ、その表面の処理を行い、微細な凹凸面に対する製膜の可能性を探った。その結果、浮上しながら高速で回転する凹凸を有するウエハ表面に対して製膜の可能性が示唆されたが、最適な操作条件を得るまでには至らなかった。次いで、ウエハの浮上およびその挙動に与えるオリフラの影響、ならびに減圧された装置内におけるウエハの浮上最小ガス流量について実験的な検討を加えた。ウエハ浮上ユニットの構造上、ウエハ下部よりガスが噴出するため、気流は非常に複雑なものとなる。浮上したウエハの安定性に対してオリフラが大きく影響することが示された。ウエハの安定性の立場からはオリフラは不必要なものと言える。さらに、ウエハ処理装置内を減圧にしても、オリフラの有無に関わらずウエハを充分に浮上させることが可能であることが分かった。
参考文献
(1)小野田亨,"山形大学修士論文"1990
(2)池田隆之,"山形大学修士論文"1994
(3)M.Toda and E.Machida : Proceedings of Symposium of Scientific Research on Priority Area-Ultimate Integration of Intelligence on Silicon Electronic Systems,pp.186-191(1996)
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Report
(1 results)
Research Products
(1 results)
