| Project/Area Number |
08238206
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
小田 俊理 東京工業大学, 量子効果エレクトロニクス研究センター, 教授 (50126314)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
伊藤 明 東京工業大学, 工学部, 助手 (30282833)
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| Project Period (FY) |
1996
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1996)
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| Budget Amount *help |
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 1996: ¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
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| Keywords | 高誘電体 / MOCVD法 / 原子層結晶成長 / 第3世代MO原料 / 超音波式混合ガス濃度計 / エピタキシャル下部電極 / バッファ層 |
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| Research Abstract |
1.原子層MOCVD薄膜成長において、液体状態で使用できる第3世代MO原料としてテトラエンを会合させたβジケトン金属錯体がを用いることにより、蒸気圧の経時変化のない安定した成長が可能になることを示した。
2.MOCVD結晶成長用混合ガス原料濃度モニターのため、250℃の高温と150Torrの低圧で使用できる超音波式MO原料モニターを開発した。原料溜の温度制御を精密に行うことにより、再現性の高い高誘電体薄膜成膜が可能になることを見いだした。
3.酸化物高誘電体の成長中に下地金属が酸化されてしまい、低誘電体層が形成する問題と、高誘電体超薄膜で、誘電率が結晶粒径で決定されて低く抑えられてしまう問題を解決するために、エピタキシャル酸化物電極を検討した。その結果、SrRuO3とYBa2Cu3O7が有望であることを見いだした。
4.シリコン基板上に、酸化物高誘電体および下部電極エピタキシャル薄膜を成長するためのバッファ層を検討して、」CaF2、イットリア安定化ジルコニアなどが有望であることを見いだした。
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