| Project/Area Number |
08650370
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Ritsumeikan University |
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Principal Investigator |
今井 茂 立命館大学, 理工学部, 助教授 (40223309)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
松村 正清 東京工業大学, 工学部, 教授 (30110729)
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| Project Period (FY) |
1996
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1996)
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| Budget Amount *help |
¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000)
Fiscal Year 1996: ¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000)
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| Keywords | ゲルマニウム / 原子層エッチング / 塩素 / 極短周期超格子 |
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| Research Abstract |
1.Si、Geの原子層エピタキシ-原子層エッチングを交互に行い最表面で偏析したGeを除去する事を用いた極短周期超格子の製作法を提案した。
2.上記の製作法を実現するため、室温で清浄Ge表面に吸着した塩素がGeCl_2として高温で熱脱離する事を用いた、昇温脱離法によるGeの原子層エッチングを提案した。
3.塩素圧力100mTorr、昇温温度400℃としたとき、Geのエッチング速度は塩素照射時間80秒(照射量8×10^6L(ラングミュア))以上、昇温時間40秒以上で飽和し、飽和値は1原子層/サイクルであった。また、エッチング速度は昇温温度260℃以上のとき1原子層/サイクルで飽和した。以上よりGeの原子層エッチングが実現することを実験的に明らかにした。
4.100サイクルの原子層エッチングによっても表面粗さは3.5原子層程度しか増大しない事をAFM測定により明らかにした。
5.Geのエッチング温度がSiの場合(650℃)と比較して低いこと、また、塩素照射量がSiの場合(5×10^4L)と比較して多いことから、選択的にSiまたはGeをエッチングする可能性が明らかとなった。
6.上記2〜4.の成果を第4回ALE国際シンポジウムで報告した。
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