| Project/Area Number |
08750394
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
電子デバイス・機器工学
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
藤島 実 東京大学, 大規模集積システム設計教育研究センター, 講師 (60251352)
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| Project Period (FY) |
1996
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1996)
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| Budget Amount *help |
¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
Fiscal Year 1996: ¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
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| Keywords | 極短チャネルMOSFET / ダブルショットキー構造 / Tiシリサイド |
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| Research Abstract |
ショートチャネル効果と寄生抵抗の増大という2つの問題を解決するため、新提案のダブルショットキーMOSFETを試作した。ソース、ドレインはSi基板にTiをスパッタし550℃でアニールしてTiシリサイドを形成した。このショットキーダイオードの特性を測定した結果、良好なTiSi_2膜が形成されていることが確認できた。また、ドライ酸化によりTiSi_2上にSiO_2膜が形成されることも確認できた。作製したFETはまだOFF時のリ-ク電流が大きくゲート電圧による変調も小さいが、以上の結果からダブルショットキーMOSFETの基本的な作製プロセスは確立できたと言える。
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