フッ化ジアミンシリケートにおける歯質強化機構の解明
| Project/Area Number |
08771960
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
矯正・小児・社会系歯学
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| Research Institution | The University of Tokushima |
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Principal Investigator |
堀内 信也 徳島大学, 歯学部・附属病院, 助手 (70263861)
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| Project Period (FY) |
1996
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1996)
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| Budget Amount *help |
¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
Fiscal Year 1996: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
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| Keywords | ハイドロキシアパタイト / フルオロアパタイト / ケイ素 / フッ化カルシウム / リン酸 / フッ化ジアミンシリケート |
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| Research Abstract |
本研究は新しいフッ化剤としてのフッ化ジアミンシリケート{SiF;(NH_4)_2SiF_6}における作用機序を解明することを目的とし、SiFの構成成分であるケイ素の作用を、ハイドロキシアパタイト{HAP;Ca_<10>(PO_4)_6OH_2}粉末をNaFにて処理するというモデル実験下で検討したものである。HAPをケイ素存在下にてフッ素処理し、フルオロアパタイト{FAP;Ca_<10>(PO_4)_6F_2}が生成される経路は(1)FAPの生成が直接促進される系、(1)フッ化カルシウム{CaF_2}とケイ素が反応し、SiFP_6^<2->を再生する系、(3)CaF_2がリン酸イオン存在下でFAPへ相変化する際、ケイ素がその生成反応を促進する系、が考えられる。研究計画に基づき(2)の経路を検討するため、CaF_2とNa_2SiO_3とをpHstatを用いH_2SO_4を滴定し、一定条件下で反応させ、処理後の粉末を粉末X線回折にて定性した。しかし、経路が進行した場合に検出されるCaSiF_6は全く検出されず、全量がCaSO_4となった。従って、(2)の経路は存在しないことがわかった。一方((3))、ケイ素はリン酸イオンとCaF_2が反応してFAPを形成する反応を促進することがわかった。しかし、その程度は少なかった。これらの事からケイ素のFAP形成促進における主要な作用機序は、FAP生成の直接的な促進がその中心を占めることが明らかになった。
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Report
(1 results)
Research Products
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