MBE成長法によるSi(001)に近接した高指数表面でのGe-Si系量子ドット
| Project/Area Number |
09233205
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Institution | Tohoku University |
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Principal Investigator |
薛 其坤 東北大学, 金属材料研究所, 助手 (90270826)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
渡辺 洋右 東北大学, 金属材料研究所, 助手 (00167181)
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| Project Period (FY) |
1997
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1997)
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| Budget Amount *help |
¥1,600,000 (Direct Cost: ¥1,600,000)
Fiscal Year 1997: ¥1,600,000 (Direct Cost: ¥1,600,000)
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| Keywords | Si(113) / ヘテロエピタキシ- / MBE / STM / 量子ドット / 結晶成長 / サーファクタント |
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| Research Abstract |
本年度は2つのテーマ即ち(1)GaAs基板表面に形成されたInAs量子ドットのファセット面の構造、(2)高面指数Si(113)基板上におけるGeのヘテロエピタキシ-及びサーファクタント原子AsとGaの役割について検討した。即ち(1)については通常のMBE成長条件でGaAs(001)にInAsを1.6-3ML蒸着することにより、量子ドット(3Dアイランド)が形成され、その形状、サイズ、統計的分布、構造等を研究した。その結果これら3Dアイランドは典型的なピラミッド/帽子型外形をとり、ファセット面は(114)及び(113)が主要なものであった。我々は原子スケールの分解能を有するSTM像で、これらInAsドットのファセット面を観察して、原子構造モデルを提案した。これは表面エネルギー計算、ドット形成機構、自己組織化プロセス等を解明する上で有用なものとなろう。(2)のGe/Si(113)へテロエピタキシ-については、臨界厚さ3MLとするStranski-Krastanovモデルに従って結晶成長すること、他方得られたアイランドは平板状で[3,3,-2]方向に伸びるという特徴も存在した。これは非対称性誘起の成長不安定性によると判断した。GaAs(001)にAs或いはGaを吸着させると、As-6x2或いはGa-3x3の新しい表面誘起構造が出現する。これらの構造モデルについては既に提案している。重要なことはAsやGaを吸着させるとStranski-Krastanov成長からlayer-by-layer成長に変化すること、即ちサーファクタントの役割をになっていることを見い出した点である。
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Report
(1 results)
Research Products
(5 results)
