| Project/Area Number |
09237105
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Research Institution | Osaka University |
|---|
Principal Investigator |
中戸 良禮 (中戸 義禮) 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 教授 (70029502)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
箕浦 秀樹 岐阜大学, 工学部, 教授 (40021612)
橋本 和仁 東京大学, 先端科学技術研究センター, 教授 (00172859)
野坂 芳雄 長岡技術科学大学, 工学部, 教授 (30134969)
中林 誠一郎 埼玉大学, 理学部, 助教授 (70180346)
|
|---|
| Project Period (FY) |
1999
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1999)
|
| Budget Amount *help |
¥89,000,000 (Direct Cost: ¥89,000,000)
Fiscal Year 1999: ¥32,000,000 (Direct Cost: ¥32,000,000)
Fiscal Year 1998: ¥29,000,000 (Direct Cost: ¥29,000,000)
Fiscal Year 1997: ¥28,000,000 (Direct Cost: ¥28,000,000)
|
|---|
| Keywords | 原子レベル構造制御 / 水素終端Si表面 / ナノロッド / 層状金属酸化物 / 電気化学的エピタキシャル成長 / 透明・有色な磁性体 / 偏光過渡回折格子分光法 / 光伝導性原子間力顕微鏡 / 終端結合 / 太陽エネルギー変換 / ナノ構造体 / 磁性材料 / 光制御 / 界面電子移動ダイナミクス / 太陽エネルギー交換 |
|---|
| Research Abstract |
半導体表面の原子レベルでの構造制御ならびにダイナミクスの解明とこれによる新しい光機能界面の創製を目的に、昨年度に引き続き、研究を行った。半導体表面の原子レベル構造制御に関しては、水素終端Si表面のSi-H結合がハロゲン化水素酸中、少量の酸化剤の存在下でSi-X(X=ハロゲン)に変換されることを見出した。またp-Si(111)表面に光と酸素の作用を利用してSiH_2ステップを形成する方法を見出した。半導体表面上のナノ構造体の形成に関しては、水素終端n-Si(111)表面上に配列したヨウ素およびニッケル金属のナノロッドを形成できることを見出した。層状金属酸化物K_4Nb_6O_<17>の微粒子化・再構築という新しい手法により酸化還元系を層間に固定化することに成功した。量子サイズの磁性半導体Cd_<1-x>Mn_xS超微粒子の光電流に対する磁場効果を検討し、Mnのドープにより量子収率の変化率が大きく増加することを明らかにした。半導体薄膜の電気化学的エピタキシャル成長に関しては、ルチル型n-TiO_2(100)面上にPbO_2をヘテロエピタキシャル成長できることを見出した。CdS結晶成長について交互イオン吸着反応堆積法および新開発の電気化学誘起化学堆積法により検討し、(002)配向の単結晶膜を得た。電気、光などにより制御可能な新しいタイプの磁性材料の開発については、K_<3-0.4xy-2y>[(V^<Il>_<0.6>V^<III>_<0.4>)_xCr^<II>_<1-x>]_y[Cr^<III>(CN)_6]zH_2Oが透明・有色な磁性体(Tc=220-315K)となることを見出した。組成(合成法)を変えることにより色やTcを変化できることも明らかにし、ファラデー効果も検討した。半導体電極上のダイナミクスについては、偏光過渡回折格子分光法による光カーダイナミクスの解析、時間分解フェムト秒表面熱レンズ分光法による金薄膜電極のホットエレクトロンの挙動の解析を行った。また、レーザパルス光と光伝導性AFMを組み合わせた、量子ナノ空間を検出できる光電導性原子間力顕微鏡を開発した。
|
