| Project/Area Number |
09740253
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
固体物性Ⅰ(光物性・半導体・誘電体)
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| Research Institution | Okazaki National Research Institutes |
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Principal Investigator |
間瀬 一彦 岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 文部教官助手 (40241244)
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| Project Period (FY) |
1997 – 1998
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1998)
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| Budget Amount *help |
¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
Fiscal Year 1998: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Fiscal Year 1997: ¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
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| Keywords | 表面 / 分子動力学 / 放射光 / オージェ電子分光 / 電子-イオン・コインシデンス分光 / 内殻電子励起 / 電子遷移誘起脱離 |
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| Research Abstract |
内殻電子励起に由来する表面ダイナミックスの研究は、未開拓の基礎科学として重要であるばかりでなく、光化学、表面分析、放射化学、材料工学など、関連分野にも貢献するものと期待されている。本研究では、表面分子に放射光を照射したときに放出される電子とイオンを、電子のエネルギーを選別し、イオンの質量も選別して、同時に検出する手法(電子-イオン・コインシデンス分光法)を用いて、表面上に凝縮した水(H_2O)について研究を行ない、
1. H_2OのO:1s内殻電子をイオン化すると、O:KVVオージェ過程によって生成する2正孔状態を経由してH^+が脱離する、
2. H_2OのO:1s内殻電子を反結合性軌道に共鳴励起すると1励起電子1内殻正孔状態の反発的ポテンシャルに沿ってH^+が脱離する、
3. H_2OのO:1s内殻電子を非結合性軌道に共鳴励起するとスペクテーターオージェ過程によって生成する1励起電子2正孔状態を経由してH^+が脱離する、
4. 脱離確率を左右する因子は、1)正孔が生じる価電子軌道のO-H結合特性、2)2正孔間のクーロン反発、3)イオンの中性化確率、4)電子が励起された軌道のO-H結合特性、5)励起された電子の寿命、である、
などの知見を得た。
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