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フェムト秒レーザー衝撃波によるシリコン高圧金属相の創成

Research Project

Project/Area Number 09J00825
Research Category

Grant-in-Aid for JSPS Fellows

Allocation TypeSingle-year Grants
Section国内
Research Field Applied optics/Quantum optical engineering
Research InstitutionOsaka University

Principal Investigator

辻野 雅之  大阪大学, 大学院・工学研究科, 特別研究員(DC1)

Project Period (FY) 2009 – 2011
Project Status Completed (Fiscal Year 2011)
Budget Amount *help
¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
Fiscal Year 2011: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Fiscal Year 2010: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Fiscal Year 2009: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
Keywordsフェムト秒レーザー駆動衝撃波 / シリコン高圧構造 / 凍結モデル / シリコン高圧金属相 / 凍結機構 / 準静的圧縮 / 結晶構造観察 / 格子欠陥 / フェムト秒レーザー衝撃波 / シリコン高圧相 / 凍結機構解明 / 金属 / 衝撃圧縮 / 静水圧縮
Research Abstract

本年度は、フェムト秒レーザー駆動衝撃波によってシリコン高圧構造が凍結されるモデルを明らかにするため以下の実験および考察を行った。フェムト秒レーザー駆動衝撃波を負荷したシリコンの透過電子顕微鏡観察の結果、フェムト秒レーザー駆動衝撃波を負荷したシリコンには、昨年度までに行った準静的圧縮を負荷したシリコンと比較して高密度の転位が導入されていることが明らかとなった。その転位密度は7×10^<19>m^<-2>であった。この高密度の転位がシリコン高圧構造の凍結に寄与していると考え、次に記す凍結モデルの提案を行った。シリコンの高圧構造が、常圧下で安定に存在する準安定相に相転移するためには、約20%の体積膨張が必要である。その膨張により高圧構造周辺のDiamond構造が応力を受け、通常ではDiamond構造の変形が起こる。しかしフェムト秒レーザー駆動衝撃波を負荷したシリコンでは、Diamond構造には高密度の転位が導入されているため、変形が阻害され、同時に体積膨張を伴う高圧構造から準安定相への相転移も阻害され、高圧構造が常圧下で安定となり凍結が達成される。このモデルを定量的に評価するためにナノインデンテーションを用いた微小硬さ試験を行った。評価の指標には圧縮降伏応力を用いた。
圧縮降伏応力は、材料の変形し難さを表すパラメータである。一般にナノインデンテーションなどによる押し込み硬さ試験によって得られる硬度と、材料の降伏応力は比例関係である。ゆえにナノインデンテーションで測定した硬度上昇により、Diamond構造が微小領域において変形に耐えうる圧力を見積もることができる。硬さ試験の結果、フェムト秒レーザー駆動衝撃波を負荷したシリコンは照射前に比べて、6.4倍の硬度上昇が起こっていることが確認した。
見積もりでは圧縮降伏応力が約5倍に上昇することにより,高圧構造であるβ-Sn構造が安定な応力を負荷することが可能であるとされたため、先述したモデルの有効性が示された。

Report

(3 results)
  • 2011 Annual Research Report
  • 2010 Annual Research Report
  • 2009 Annual Research Report
  • Research Products

    (10 results)

All 2012 2011 2010 2009

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 3 results) Presentation (7 results)

  • [Journal Article] Formation of High-Density Dislocations and Hardening in Femtosecond-Laser-Shocked Silicon2012

    • Author(s)
      辻野雅之
    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume: 5 Issue: 2 Pages: 22703-22703

    • DOI

      10.1143/apex.5.022703

    • NAID

      10030155552

    • Related Report
      2011 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] フェムト秒レーザ駆動衝撃波によるシリコン高圧構造の常圧下における残存2012

    • Author(s)
      辻野雅之
    • Journal Title

      レーザ加工学会誌

      Volume: (未定)

    • NAID

      40019319356

    • Related Report
      2011 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Synthesis of submicron metastable phase of silicon using femtosecond laser-driven shock wave2011

    • Author(s)
      辻野雅之
    • Journal Title

      JOURNAL OF APPLIED PHYSICS

      Volume: 110 Issue: 12 Pages: 126-103

    • DOI

      10.1063/1.3673591

    • Related Report
      2011 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Electron microscopic observation in femtosecond laser-driven shock compressed silicon2011

    • Author(s)
      辻野雅之
    • Organizer
      Shock Compression of Condensed Matter 2011
    • Place of Presentation
      Marriott Renaissance Hotel (Chicago)
    • Year and Date
      2011-06-27
    • Related Report
      2011 Annual Research Report
  • [Presentation] Quenching non-equilibrium high-pressure phases of Si using femtosecond laser-driven ultrashort shock2011

    • Author(s)
      辻野雅之
    • Organizer
      The 12th International Symposium on Laser Precision Microfabrication
    • Place of Presentation
      かがわ国際会議場
    • Year and Date
      2011-06-10
    • Related Report
      2011 Annual Research Report
  • [Presentation] 静的圧縮による高圧相転移後に圧力解放したシリコンの電子顕微鏡観察2010

    • Author(s)
      辻野雅之
    • Organizer
      日本高圧力学会
    • Place of Presentation
      仙台市戦災復興記念館
    • Year and Date
      2010-10-20
    • Related Report
      2010 Annual Research Report
  • [Presentation] フェムト秒レーザー駆動衝撃波によるシリコン高圧相凍結機構に関する一考察2010

    • Author(s)
      辻野雅之
    • Organizer
      応用物理学会
    • Place of Presentation
      長崎大学
    • Year and Date
      2010-09-14
    • Related Report
      2010 Annual Research Report
  • [Presentation] Deformations of Crystalline Structures in Silicon Wafer Induced by Femtosecond Laser2009

    • Author(s)
      辻野雅之
    • Organizer
      Materials Science and Technology 2009
    • Place of Presentation
      米国ペンシルバア州ピッツバーグ
    • Year and Date
      2009-10-26
    • Related Report
      2009 Annual Research Report
  • [Presentation] Femtosecond laser-driven shock synthesis of high-pressure phases of silicon2009

    • Author(s)
      辻野雅之
    • Organizer
      AIRAPT-22
    • Place of Presentation
      東京都江東区青海
    • Year and Date
      2009-07-30
    • Related Report
      2009 Annual Research Report
  • [Presentation] Femtosecond laser-driven shock synthesis of high-pressure phases of silicon2009

    • Author(s)
      辻野雅之
    • Organizer
      Shock Compression of Condensed Matter 2009
    • Place of Presentation
      米国テネシー州ナッシュビル
    • Year and Date
      2009-07-03
    • Related Report
      2009 Annual Research Report

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Published: 2009-04-01   Modified: 2024-03-26  

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