In_2Se_3層状半導体の巨大電気的異方性と不純物添加に関する研究
| Project/Area Number |
10750007
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
岡本 保 東京工業大学, 量子効果エレクトロニクス研究センター, 助手 (80233378)
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| Project Period (FY) |
1998 – 1999
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1999)
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| Budget Amount *help |
¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
Fiscal Year 1999: ¥500,000 (Direct Cost: ¥500,000)
Fiscal Year 1998: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
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| Keywords | セレン化インジウム / III-VI族化合物半導体 / 層状構造 / 欠損性ウルツ鉱構造 / 電気的異方性 / 光学的異方性 |
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| Research Abstract |
III_2-VI_3族化合物半導体In_2Se_3は、層状構造(α相)あるいは欠損性ウルツ鉱構造(γ相)という独特な構造を有し、電気的・光学的異方性や旋光性など特異な物性を示すことから、新機能性デバイス材料として期待される。本研究ではまず、分子線エピタキシー法により層状構造を有するα-In_2Se_3のエピタキシャル成長に成功し、大きな電気的・光学的異方性を有するという特異な物性を明らかにした。さらに、GaAs(111)B基板を用いることにより、空孔が螺旋状に規則配列して旋光性を有することが知られている、欠損性ウルツ鉱構造を有するγ-In_2Se_3のエピタキシャル成長に成功した。また、フォトルミネセンス測定を行ったところ、579nm付近に鋭い励起子発光が観測され、優れた光学的特性を有していることが明らかになった。
また、α-In_2Se_3およびγ-In_2Se_3へのZnドーピング、Nドーピング等を試みた。様々な条件でドーピングを試みたが、伝導度制御は困難であった。さらに、γ-In_2Se_3の優れた光学的特性に着目し、p-ZnSe/γ-In_2Se_3/n-ZnSeという構造を有する発光素子を目指した検討を行った。(111)GaAs基板を用いて、ZnSe/γ-In_2Se_3/(111)GaAsおよびγ-In_2Se_3/ZnSe/(111)GaAsという構造の作製に成功し、その構造評価および光学的特性評価を行った。
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Report
(2 results)
Research Products
(4 results)
