埋込み構造を用いたスピン軌道相互作用の制御とスピンブロッケード素子への応用
| Project/Area Number |
10750234
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Osaka University |
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Principal Investigator |
若家 富士男 (若家 冨士男) 大阪大学, 大学院・基礎工学研究科, 助手 (60240454)
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| Project Period (FY) |
1998 – 1999
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1999)
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| Budget Amount *help |
¥1,500,000 (Direct Cost: ¥1,500,000)
Fiscal Year 1999: ¥500,000 (Direct Cost: ¥500,000)
Fiscal Year 1998: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
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| Keywords | クーロンブロッケード / 単電子トランジスタ / スピンブロッケード / 真空一貫プロセス / 埋込み構造 / 磁性材料 / 微小トンネル結合 |
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| Research Abstract |
本年度の研究成果をまとめると以下のようになる。
1.ケルディッシュグリーン関数の方法を用いて、高次のトンネル過程を計算することにより、スピン編極した電子系の微小トンネル接合におけるクーロンブロッケード(スピンブロッケード)の効果を理論的に検討し、クーロンブロッケードによる磁気抵抗の増大の可能性を理論的に示した。
2.磁性材料であるNiやCoやNiFeを用いて、スピン偏極した材料を微細加工したときの、伝導現象について実験的に検討した。磁性材料の間に非磁性材料を挟んだ構造の磁気抵抗効果から、非磁性材料におけるスピン散乱長を見積もった。
3.MBE-FIB真空-貫プロセスにおいて、FIBのエネルギーを変えた時に半導体中に発生する損傷がどの程度変わるかを実験的にみつもり、エネルギーを200eV程度まで下げれば、損傷が押えられることが分かった。
4.単電子トランジスタのクーロンアイランドにスピンを注入する方法として、抵抗結合型単電子トランジスタ(R-SET)に注目し、その伝導特性について、基礎的な実験を行った。その結果、ゲート抵抗がトンネル抵抗のときにも、本来のR-SETと類似した伝導特性が得られることがわかった。
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Report
(2 results)
Research Products
(12 results)
