半導体表面に化学吸着した原子・分子による電子の共鳴散乱
| Project/Area Number |
10875005
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Exploratory Research
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
表面界面物性
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| Research Institution | Kyoto University |
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Principal Investigator |
西嶋 光昭 京都大学, 大学院理学研究科, 教授 (90108978)
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| Project Period (FY) |
1998
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 1998)
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| Budget Amount *help |
¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
Fiscal Year 1998: ¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
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| Keywords | 化学吸着 / EELS / 共鳴散乱 |
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| Research Abstract |
Schulzらの研究でよく知られているように、気体分子の場合、電子を照射すると電子が一時的に分子に捕獲された後、非弾性散乱されるという,いわゆる負イオン共鳴散乱機構がある。共鳴散乱は電子のイオン・コアによる短距離相互作用による散乱であるが、特に電子の交換一相関相互作用のからんだ散乱である。
研究代表者は半導体表面に化学吸着した原子・分子の場合について、共鳴散乱の可能性を検討した。用いた装置は高分子解能電子エネルギー損失分光(EELLS)であり、用いた試料はCO/Si(100)、CO/K/Si(100)、(H+OH)/Si(111)である。OH/Si(111)については共鳴散乱の観測に成功した。他の系では共鳴散乱は観測されなかった。強く化学吸着しているため、形状共鳴状態ができないためである。
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Report
(1 results)
Research Products
(2 results)
