| Project/Area Number |
11167233
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
藤平 正道 東京工業大学, 大学院・生命理工学研究科, 教授 (40013536)
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| Project Period (FY) |
1999 – 2000
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2000)
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| Budget Amount *help |
¥4,400,000 (Direct Cost: ¥4,400,000)
Fiscal Year 2000: ¥2,400,000 (Direct Cost: ¥2,400,000)
Fiscal Year 1999: ¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
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| Keywords | 電荷分離過程 / A-S-D三つ組分子 / 過渡吸収スペクトル測定 / 電荷再結合過程 / テングミュアー・プロジェクト膜 / 近視野光学顕微鏡 / 高感度光速光記録 / 化学増幅 / ラングミュアー・ブロジェット膜 / 高感度高速光記録 |
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| Research Abstract |
1)LB膜を用いた光電荷分離とエネルギー移動消光を組み合わせた蛍光消光の増幅作用系の構築とその超高感度光記録系への応用
(1)A-S-D三つ組分子からなる単分子膜系での光誘起電荷分離による長寿命A^-生成と可逆なAへの変換による消去法の確立を行った。
(2)蛍光性単分子膜/A-S-D三つ組分子単分子膜積層LB膜の形成を行った。
(3)上記積層LB膜へのフォトマスクをとおした光照射による光書き込みと形成されたパターンの蛍光消光の増幅作用を利用した蛍光顕微鏡による超高感度観察を行った。
(4)Aへの可逆再生と蛍光パターン消失の蛍光顕微鏡による確認をした。
2)走査近視野光学顕微鏡(SNOM)によるナノ書き込みと蛍光による高感度読み出し
(1)上記積層LB膜へのSNOMプローブによるナノサイズのパターンの書き込みを行った。
(2)上記ナノサイズのパターンの蛍光消光の増幅作用を利用したSNOMによる超高感度読み出しを行った。
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