| Project/Area Number |
11650857
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 一般 |
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| Research Field |
無機工業化学
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| Research Institution | Nagoya University |
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Principal Investigator |
徐 元善 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (30242829)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
河本 邦仁 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 教授 (30133094)
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| Project Period (FY) |
1999 – 2000
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2000)
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| Budget Amount *help |
¥3,500,000 (Direct Cost: ¥3,500,000)
Fiscal Year 2000: ¥1,600,000 (Direct Cost: ¥1,600,000)
Fiscal Year 1999: ¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
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| Keywords | ウィスカー / シリコンカーバイド / 透過型電子顕微鏡 / モルフォロジー / 積層欠陥 / 成長方向 / SiO_2 / カーボンブラック / 炭素還元法 / 炭化ケイ素 / ウイスカー / 生成反応 |
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| Research Abstract |
水素ガス中で二酸化珪素(SiO_2)とカーボンブラック(CB)からβ-SiCウィスカーを合成する際の基本合成反応は、SiOとカーボンブラック間での固相-気相反応である。合成されるウィスカーは、形態(morphology)、成長方向(growth direction)、積層欠陥面(stacking-fault planes)から、3つのタイプに分類できる。それらは、(i)タイプAとして、比較的フラットな表面と、成長方向に対して垂直な積層欠陥面を持つタイプ、(ii)Bとして、ラフな表面と、成長方向に対して35°の角度を持った積層欠陥面を有するタイプ、(iii)Cとして、ラフなノコギリ歯状の表面と、3つの異なった{111}面内に同時に積層欠陥面を有するタイプの3種である。TEM(Transmission Electron Microscopy)観察により、歪められて進路を阻害され分岐したウィスカーの角度は125゜、70゜、109゜であることが明らかになった。これらのウィスカーは、タイプAとタイプBのウィスカーから構成されるか、またはタイプAのみから構成される、あるいは、タイプAとタイプBのペアが2つ平行に成長したもののいずれかから構成されている。ウィスカーの進路阻害による歪み、分岐は、それぞれのタイプのウィスカー間で成長速度が異なることと密接な関係があると言える。
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