| Project/Area Number |
11740192
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
固体物性Ⅱ(磁性・金属・低温)
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
小野 寛太 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (70282572)
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| Project Period (FY) |
1999 – 2000
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2000)
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| Budget Amount *help |
¥2,200,000 (Direct Cost: ¥2,200,000)
Fiscal Year 2000: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
Fiscal Year 1999: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
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| Keywords | 角度分解光電子分光 / 低次元磁性体 / 分子線エピタキシー / 放射光 / 磁性半導体 / ナノ構造 |
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| Research Abstract |
低次元磁性体の作製のために光電子分光装置ヘ分子線エピタキシ装置を接続した。また.立ち上げた装置を用いて主として.MnAs,CrAsなどの強磁性体の超薄膜および磁性ドットの角度分解光電子分光を行った。その結果.GaAs上に成長したCrAsでは.自然界に存在するMnP型の結晶構造とは異なりZinc Blende型の結晶構造をもつことが分かった。また角度分解光電子分光の結果は.第一原理計算の結果と良い一致を示しており.Half-Metallicになっていることが示唆された。また.磁性ドットに関しては.遷移金属の3d電子の局在が強くなっていることが観測された。この他磁性半導体GaMnAs,GaCrAsについても分子線エピタキシーを用いた作製および,角度分解光電子分光による電子状態の研究を行った。
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