| Project/Area Number |
11750006
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Applied materials science/Crystal engineering
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
目良 裕 東京大学, 大学院・工学系研究科, 助手 (40219960)
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| Project Period (FY) |
1999 – 2000
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2000)
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| Budget Amount *help |
¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
Fiscal Year 2000: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 1999: ¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
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| Keywords | 走査トンネル顕微鏡 / 転位 / 深い準位 / 半導体 / 電子励起 / 欠陥 / 発光素子 / 劣化 / 非発光再結合 |
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| Research Abstract |
(1)STM光吸収スペクトロスコピー測定システムのセットアップ
最近当グループで開発したSTM光吸収スベクトロスコピー測定を当研究課題について行うため、現有の超高真空STMに、半導体レーザー、ハロゲンランプ、分光器、集光系などを組み合わせ、上記測定システムを構築し調整した。
(2)低温成長GaAsエピタキシャル膜試料の作成
分子線エピタキシー蒸着法により、砒化ガリウムウェハー上に、250℃という低温でエピタキシャル膜を成長させた。これは、低温GaAsエピタキシャル膜がアンチサイトの砒素を多く含むために歪んでおり、基板との界面に、高濃度で転位が存在するためである。
(3)STM光吸収スペクトロスコピー法による測定
上記において構成した装置を用いて、低温成長した砒化ガリウムエピタキシャル膜ウェハーを真空中で劈開し、その断面STM測定を行った。GaAs中の転位は、バンドギャップ中に深い準位を持ち、キャリアの再結合中心になると考えられている。界面に多く存在すると思われる転位による光吸収STMシグナルは現在までは検出されていない。これは、転位芯におけるキャリアの再結合確率が従来考えられてきた値より小さいか、あるいは照射光強度が十分ではなかったためと考えられる。
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