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ダイヤモンド薄膜結晶の電子帯構造と負性電子親和力

Research Project

Project/Area Number 11875007
Research Category

Grant-in-Aid for Exploratory Research

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Applied materials science/Crystal engineering
Research InstitutionKobe City College of Technology (2000)
Kobe University (1999)

Principal Investigator

西野 種夫  神戸市立工業高等専門学校, 教授, 校長 (60029452)

Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) 喜多 隆  神戸大学, 工学部, 助教授 (10221186)
Project Period (FY) 1999 – 2000
Project Status Completed (Fiscal Year 2000)
Budget Amount *help
¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
Fiscal Year 2000: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 1999: ¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
Keywordsダイヤモンド / NEA / 光電放出 / カソードルミネッセンス / 変調分光 / electronic structure
Research Abstract

本年度はダイヤモンド薄膜結晶からの光電子放出現象に着目して電子帯構造とNEAの関係すなわち電子親和力の評価を行った。水素などの吸着原子で表面電子状態とNEAの安定化を目指した。安定なNEA半導体エミッターを実現するためこれまでに構築してきた真空紫外分光技術を駆使してダイヤモンド薄膜結晶の電子帯構造とNEAを決める関係について明らかにした。特に、我々のグループにおいて独自に開発した電子顕微鏡(SEM)と一体化した局所領域電子線変調反射分光システムを用いて基礎吸収端光学遷移のみならずブリュアンゾーン全域わたって高エネルギーバンド間遷移をキャッチする事に成功し。これによりNEAの元になっている電子帯構造、特に基礎吸収端との関係を明らかにすることができた。具体的には(1)電子ビーム励起による真空紫外分光システムを利用していずれのサンプルでもカソードルミネッセンス・スペクトルを明瞭に観測した。中でもダイヤモンド多結晶薄膜で信号が観測されたのは特筆できる。(2)熱変調反射測定により5.5eV近傍に基礎吸収端でのフォノン放出に関係した信号を明確にとらえることに成功した。ダイヤモンドの基礎吸収端は間接遷移型であることからこれまでにほとんど観測例はなかったが、このように発光と同時に精密に基礎吸収端を観測できたことの意義は極めて大きいと考える。(3)これら分光評価の結果、ダイヤモンド薄膜において結晶欠陥が関係すると考えられるゼロフォノン吸収が強く観測され、薄膜作成条件によって基礎吸収端構造が強く影響を受けることが分かった。(4)一方、電子放出スペクトル測定のための新しいシステムを構築し励起波長によって明瞭は放出特性の違いを観測するとともに今後のこのシステムを用いたスペクトル分光評価の発展に大きな指針を与えることができた。

Report

(2 results)
  • 2000 Annual Research Report
  • 1999 Annual Research Report
  • Research Products

    (18 results)

All Other

All Publications (18 results)

  • [Publications] T.Kita: "Dynamic Process of Two-Dimensional InAs Growth in Stranski-Krastanov Mode"Physica E. Vol.7. 891-895 (2000)

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  • [Publications] T.Kita: "Time-Resolved Observation of Anti-Stokes Photoluminescence at Ordered Ga0.5In0.5P and GaAs Interfaces"Journal of Luminescence. Vol.87-89. 269-271 (2000)

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  • [Publications] K.Yamashita: "Initial Stages of InAs-Quantum Dots Formation Studied by Reflectance-Difference Spectroscopy and Photoluminescenc"Inst.Phys.Conf.Ser.No.166. Chapter 4. 239-242 (2000)

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      2000 Annual Research Report
  • [Publications] T.Kita: "Self- Assembled Growth of InAs-Quantum Dots and Postgrowth Behavior Studied by Reflectance-Difference Spectroscopy"Applied Surface Science. Vol.159-160. 503-507 (2000)

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  • [Publications] T.Kita: "Optical Characterization of Synthetic Diamond Films"SPIE. Vol.4086. 535-539 (2000)

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      2000 Annual Research Report
  • [Publications] T.Kita: "Inelastic Phonon Scattering in Long-Range-Ordered (Al0.5Ga0.5) 0.5In0.5P"Phys.Rev.B. (印刷中). (2000)

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  • [Publications] K.Yamashita: "Carrier-Relaxation Process in Time-Resolved Up-Converted Photoluminescence at Ordered (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P/GaAs Heterointerface"Jpn.J.Appl.Phys.. Vol.38,No.2B. 1001-1003 (1999)

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      1999 Annual Research Report
  • [Publications] T.Kita: "Dynamic Process of Anti-Stokes Photoluminescence at a Long-Range Ordered Ga^<0.5>In_<0.5>P/GaAs Heterostructure"Phys.Rev.B. Vol.59,No.23. 15358-15362 (1999)

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      1999 Annual Research Report
  • [Publications] T.Kita: "Self-Organized Process of InAs-Quantum Dots Monitored by Reflectance-Difference Spectroscopy"Inst.Phys.Conf.Ser.. No.162,Chapter 9. 457-462 (1999)

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      1999 Annual Research Report
  • [Publications] K.Yamashita: "Linear Electrooptic Effect in Ordered (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P"J.Appl.Phys.. Vol.86,No.6. 3140-3143 (1999)

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      1999 Annual Research Report
  • [Publications] T.Kita: "Energy Relaxation by Multiphonon Processes in Partially Ordered (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.5>In_<0.5>P"Proc.11th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials,Davos. 159-162 (1999)

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      1999 Annual Research Report
  • [Publications] K.Yamashita: "Relaxation Process of Photoexcited Carriers in GaAs/InAs/GaAs Quantum Structures"Proc.18th Electronic Materials Symposium,Kii-Shirahama. 39-40 (1999)

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      1999 Annual Research Report
  • [Publications] T.Kita: "Reflectance-Difference Spectroscopy of Two-Dimensional InAs duing Stranski-Krastanov Formation of Quantm Dots"Proc.18th Electronic Materials Symposium,Kii-Shirahama. 141-142 (1999)

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  • [Publications] T.Kita: "Dynamic Process of Two-Dimensional InAs Growth in Stranski-Krastanov Mode"Physica E. (in press). (2000)

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      1999 Annual Research Report
  • [Publications] T.Kita: "Time-Resolved Observation of Anti-Stokes Photoluminescence at Ordered Ga_<0.5>In_<0.5>P and GaAs Interfaces"Journal of Luminescence. (in press). (2000)

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      1999 Annual Research Report
  • [Publications] K.Yamashita: "Initial Stages of InAs-Quantum Dots Formation Studies by Reflectance-Difference Spectroscopy and Photoluminescence"Inst.Phys.Conf.Ser.. (in press). (2000)

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  • [Publications] T.Kita: "Self-Assembled Growth of InAs-Quantum Dots and Postgrowth Behavior Studied by Reflectance-Difference Spectroscopy"Applied Surface Science. (in press). (2000)

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  • [Publications] A.Shimizu: "Structual Evolution and Valence-Electron State Change During Ultra Thin Silicon Oxide Growth"Applied Surface Science. (in press). (2000)

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      1999 Annual Research Report

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Published: 1999-04-01   Modified: 2016-04-21  

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