単一カイラリティ実現に向けたカーボンナノチューブの構造制御に関する研究
| Project/Area Number |
11F01354
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 外国 |
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| Research Field |
Nanomaterials/Nanobioscience
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| Research Institution | Meijo University |
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Principal Investigator |
丸山 隆浩 名城大学, 理工学部, 教授
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
GHOSH Ranajit 名城大学, 理工学部, 外国人特別研究員
GHOSH Ranajit 名城大学, 理工学部・応用化学科, 外国人特別研究員
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| Project Period (FY) |
2011 – 2013
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2013)
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| Budget Amount *help |
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 2013: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2012: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2011: ¥400,000 (Direct Cost: ¥400,000)
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| Keywords | カーボンナノチューブ / グラフェン / カイラリティ / 化学気相成長 / 触媒 / グラファイト / CVD |
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| Research Abstract |
本件旧の目的である, 単一カイラリティを有するカーボンナノチューブ(SWNT)実現に向け、前年度に引き続き, 高真空アルコールガスソース法を用いて成長実験を行った。特にカイラリティ単一化のため、Pt触媒を用いてグラファイトシート基板上に作製したグラフェン膜上へのSWNTの作製を行った。
①グラファイト基板上のPt触媒からのSWNT成長
前年度の結果から、化学処理を行ったグラファイト基板にPt触媒を担持させ、エタノールを原料ガスに用いてSWNT成長を行った場合、直径が1nm以下で直径分布幅も狭いSWNTが生成することがわかった。本年度は、グラファイト基板の化学処理条件、Pt触媒の膜厚条件、成長時間などを変化させることにより、単一カイラリティを有するSWNT実現を目指して実験を行った。その結果、特定の成長条件下においてほぼ単一カイラリティを有するSWNTを生成させることができた。
②SWNT-グラフェン複合体の作製と構造解析
前年度の結果より、グラファイト基板を用いてSWNT成長を行った場合、一定の成長条件下において、グラファイト表面上でSWNTとグラフェンの複合構造が形成する様子が観察された。本年度は、グラフェン上に形成されたSWNTに対し、界面微細構造を高分解能透過電子顕微鏡観察により調べた。その結果、触媒表面上にグラフェン層が形成されたのち、SWNTが生成していることを示唆する結果が得られた。
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| Current Status of Research Progress |
Current Status of Research Progress
1: Research has progressed more than it was originally planned.
Reason
(抄録なし)
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| Strategy for Future Research Activity |
(抄録なし)
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Report
(3 results)
Research Products
(17 results)
