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窒化物半導体の電子状態の解明と制御:歪工学による新機能光デバイス実現に向けて

Research Project

Project/Area Number 11J00290
Research Category

Grant-in-Aid for JSPS Fellows

Allocation TypeSingle-year Grants
Section国内
Research Field Applied materials science/Crystal engineering
Research InstitutionKyoto University

Principal Investigator

石井 良太  京都大学, 工学研究科, 特別研究員(DC2)

Project Period (FY) 2011 – 2012
Project Status Completed (Fiscal Year 2012)
Budget Amount *help
¥1,400,000 (Direct Cost: ¥1,400,000)
Fiscal Year 2012: ¥600,000 (Direct Cost: ¥600,000)
Fiscal Year 2011: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Keywords窒化アルミニウム / 変形ポテンシャル / 歪み / 一軸性応力 / 反射測定 / 電子正孔交換相互作用 / 励起子 / 紫外高効率発光 / 弾性定数 / 窒化物半導体
Research Abstract

本年度は,窒化アルミニウムにおける全ての励起子変形ポテンシャルの同定,窒化アルミニウムの励起子微細構造の解明,紫外高効率発光に向けた新規デバイス構造の提案を行った.以下ではそれぞれについて具体的に記す.
まず,前年度に調達した無極性面および半極性面窒化アルミニウム基板に対して,一軸性応力下における偏光反射測定を行った.深紫外分光特有の問題である信号強度の著しい低下を防ぐために,高輝度白色光源の使用,光学系の最適化,光路の窒素充填などを行った.その結果,それぞれの励起子の明瞭な応力依存性を観測することに成功した。実験結果をウルツ鉱構造の励起子有効ハミルトニアンで解析することにより,窒化アルミニウムにおける全ての励起子変形ポテンシャルを同定した.異方性励起子変形ポテンシャルとせん断励起子変形ポテンシャルの報告値はこれまでに存在せず,世界初の成果である.
続いて,有機金属気相成長法によって作製したc面窒化アルミニウムホモエピタキシャル薄膜の発光特性を詳細に調べた.極低温においてフォトルミネッセンス測定を行うと,極めて鋭い複数の発光線が観測された.重要なこととして,偏光を考慮したフォトルミネッセンス測定を極低温から室温まで温度を変化させながら測定することにより,従来束縛励起子と同定されていた発光線は自由励起子に起因していることを明らかにした.この実験結果を群論と不変量の理論を用いて解析することにより,窒化アルミニウムにおける励起子微細構造を明らかにし,窒化アルミニウムにおける電子正孔交換相互作用定数は正であることを見出した.
最後に,精密に同定した励起子変形ポテンシャルを用いて,紫外高効率発光に向けた新規デバイス構造の提案を行った.具体的には,窒化アルミニウムガリウムのダブルヘテロ構造および歪み量子井戸構造を作製した場合の,禁制帯幅,偏光度,有効質量などを種々の面方位に対して包括的に理論計算を行った.

Report

(2 results)
  • 2012 Annual Research Report
  • 2011 Annual Research Report
  • Research Products

    (16 results)

All 2013 2012 2011 Other

All Journal Article (3 results) (of which Peer Reviewed: 2 results) Presentation (11 results) Remarks (2 results)

  • [Journal Article] Strong optical polarization in nonpolar (1-100) Al_xGa_<1-x>N/AlN quantum wells2013

    • Author(s)
      M. Funato, K. Matsuda, R. G. Banal, R. Ishii and Y. Kawakami
    • Journal Title

      Physical Review B

      Volume: 87 Issue: 4

    • DOI

      10.1103/physrevb.87.041306

    • Related Report
      2012 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] Homoepitaxy and photoluminescence properties of (0001) AIN2012

    • Author(s)
      M. Funato, K. Matsuda, R. G. Banal, R. Ishii, Y. Kawakami
    • Journal Title

      Applied Physics Express

      Volume: 5 Issue: 8 Pages: 082001-082001

    • DOI

      10.1143/apex.5.082001

    • Related Report
      2012 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Journal Article] 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果2011

    • Author(s)
      石井艮太, 金田昭男, ライアン バナル, 船戸充, 川上養一
    • Journal Title

      信学技報,IEICE Technical Report

      Volume: IEICE-111 Pages: 77-80

    • NAID

      10031104093

    • Related Report
      2011 Annual Research Report
  • [Presentation] A1NのPLスペクトルにおける特異なピークの起源2013

    • Author(s)
      石井良太, 船戸充, 川上養一
    • Organizer
      第60回応用物理学会関係連合講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学,神奈川県
    • Year and Date
      2013-03-29
    • Related Report
      2012 Annual Research Report
  • [Presentation] The origin of an anomalous peak in photoluminescence spectra of A1N2013

    • Author(s)
      R. Ishii
    • Organizer
      6th GCOE Intern. Symp. on Photonics and Electronics Science and Engineering
    • Place of Presentation
      Kyoto University, Kyoto
    • Year and Date
      2013-03-11
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      2012 Annual Research Report
  • [Presentation] Determination of tne deformation potentials in aluminum nitride : Breakdown of the quasicubic approximation in A1N as well as GaN2012

    • Author(s)
      R. Ishii, A. Kaneta, M. Funato, Y. Kawakami
    • Organizer
      Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Sapporo, Hokkaido
    • Year and Date
      2012-10-16
    • Related Report
      2012 Annual Research Report
  • [Presentation] 窒化アルミニウムにおける一軸性変形ポテンシャルの同定2012

    • Author(s)
      石井良太, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学・松山大学,愛媛県
    • Year and Date
      2012-09-13
    • Related Report
      2012 Annual Research Report
  • [Presentation] Hydrostatic ana uniaxial deformation potentials in aluminum nitride : Breakdown of the quasicubic approximation in A1N2012

    • Author(s)
      R. Ishii, A. Kaneta, M. funato, Y. Kawakami
    • Organizer
      31st Electronic Materials Symposium
    • Place of Presentation
      Laforet Shuzenj i, Shizuoka
    • Year and Date
      2012-07-12
    • Related Report
      2012 Annual Research Report
  • [Presentation] Structural and optical characterization of homoepit axial A1N film2012

    • Author(s)
      R. Ishii, K. Matsuda, R. G. Banal, M. Funato, Y. Kawakami
    • Organizer
      31st Electronic Materials Symposium
    • Place of Presentation
      Laforet Shuzenj i, Shizuoka
    • Year and Date
      2012-07-12
    • Related Report
      2012 Annual Research Report
  • [Presentation] 窒化アルミニウムにおける静水圧変形ポテンシャルの同定2012

    • Author(s)
      石井艮太, 金田昭男, 船戸充, 川上養一
    • Organizer
      第59回応用物理学会関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学早稲田キャンパス早稲田中・高等学校興風館
    • Year and Date
      2012-03-17
    • Related Report
      2011 Annual Research Report
  • [Presentation] 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果2011

    • Author(s)
      石井良太, 金田昭男, ライアン バナル, 船戸充, 川上養一
    • Organizer
      レーザ・量子エレクトロニクス研究会
    • Place of Presentation
      京都大学
    • Year and Date
      2011-11-18
    • Related Report
      2011 Annual Research Report
  • [Presentation] 一軸性応力下におけるAlN薄膜のPLスペクトル2011

    • Author(s)
      石井良太, 金田昭男, R.G.Banal, 船戸充, 川上養一
    • Organizer
      第72回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      山形大学
    • Year and Date
      2011-09-01
    • Related Report
      2011 Annual Research Report
  • [Presentation] Effect of uniaxial stress on excitons in AlN2011

    • Author(s)
      R.Ishii, M.Funato, Y.Kawakarai
    • Organizer
      9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Glasgow, UK
    • Year and Date
      2011-07-12
    • Related Report
      2011 Annual Research Report
  • [Presentation] Uniaxial stress dependence of the excitonic transition in AlN2011

    • Author(s)
      R.Ishii, A.Kaneta, R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
    • Organizer
      30th Electronic Materials Symposium
    • Place of Presentation
      Laforet Biwako, Shiga, Japan
    • Year and Date
      2011-06-30
    • Related Report
      2011 Annual Research Report
  • [Remarks]

    • URL

      http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/

    • Related Report
      2012 Annual Research Report
  • [Remarks]

    • URL

      http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/

    • Related Report
      2011 Annual Research Report

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Published: 2011-12-12   Modified: 2024-03-26  

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