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電子線励起法による窒化物半導体量子井戸構造を用いた深紫外レーザに関する研究

Research Project

Project/Area Number 11J05168
Research Category

Grant-in-Aid for JSPS Fellows

Allocation TypeSingle-year Grants
Section国内
Research Field Electronic materials/Electric materials
Research InstitutionKyoto University

Principal Investigator

大音 隆男  京都大学, 工学研究科, 特別研究員(DC1)

Project Period (FY) 2011 – 2013
Project Status Completed (Fiscal Year 2013)
Budget Amount *help
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 2013: ¥600,000 (Direct Cost: ¥600,000)
Fiscal Year 2012: ¥600,000 (Direct Cost: ¥600,000)
Fiscal Year 2011: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Keywords光学利得特性 / AlGaN/AIN量子井戸 / 局在励起子 / CLマッピング / 弱励起 / 誘導放出 / AlGaN/AlN量子井戸
Research Abstract

①高Al組成AIGaN/AIN量子井戸の光学利得特性
光学利得特性を理解することは, 発振閾値の低減化などデバイスへの応用上非常に重要である. そこで, 励起長可変法を用いて光学利得特性の評価を行った. 励起長を変化させながら, 端面PLを測定した結果, 増幅された自然放出光(ASE)の観測に成功した. また, 様々なA1組成・井戸幅を持つAIGaN/AIN量子井戸の光学利得を測定した結果, 最大で140㎝^<-1>(Al組成79%, 井戸幅5nm)という大きな光学利得を得た. さらに, 光学利得の偏光依存性の評価を行った結果, TEモ一ドとTMモードの光学利得がAl組成80%程度で入れ替わることを実験的に初めて実証した. この結果は, AIN上にコヒーレントに成長したAIGaNの価電子帯が80%でスイッチングすることに起因している.
②CLマッピング測定による高A1組成AIGaN/AIN量子井戸の励起子のダイナミクスの評価
励起子の空間的なダイナミクスを直接的に観測するために, スイスのAttolightにて, CLマッピングの温度特性の評価を行った, 電子線をピンホールとガンレンズで収束した後, サンプルに照射した. 加速電圧は2kV, 照射電流は0.75nAに設定し, 温度は18Kから300Kの問で変化させて測定を行った. CLはNAが0.72の対物レンズで集光した後, 32cmの分光器およびCCDを用いて検出した. 18Kから温度を上げていくと, CL強度およびピークエネルギーの分布が広がり, 平均エネルギーが高エネルギー側にシフトすることから, 励起子が非局在化を反映した結果が得られた. 100Kからさらに温度を上げると, CL強度の分布が広がる一方で, 高エネルギー側の成分が減少して低エネルギー側に裾を引くことから, 高エネルギー側から低エネルギーへのキャリアの流れ込みを反映した結果が得られた. これらの結果は, 以前に報告したPLのと同じ傾向が得られていることからAIGaN/AIN量子井戸の励起子ダミクスにして統一的な見解が得られたと考えている.

Strategy for Future Research Activity

(抄録なし)

Report

(3 results)
  • 2013 Annual Research Report
  • 2012 Annual Research Report
  • 2011 Annual Research Report
  • Research Products

    (19 results)

All 2014 2013 2012 2011 2001 Other

All Journal Article (1 results) (of which Peer Reviewed: 1 results) Presentation (12 results) Remarks (3 results) Patent(Industrial Property Rights) (3 results) (of which Overseas: 2 results)

  • [Journal Article] Time-resolved photoluminescence of Al-rich AlGaN/AlN quantum wells under selective excitation2011

    • Author(s)
      Y.Iwata, T.Oto, A.Kaneta, R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
    • Journal Title

      Physica Status Solidi C

      Volume: 8 Issue: 7-8 Pages: 2191-2193

    • DOI

      10.1002/pssc.201001083

    • Related Report
      2011 Annual Research Report
    • Peer Reviewed
  • [Presentation] Temperature dependent exciton dynamics in Al-rich AIGaN/AIN quantum wells assessed by cathodoluminescence mapping measurements2014

    • Author(s)
      大音隆男, 岩田佳也, D. Gachet, M, Benameur, R. Bana1, 船戸充, 川上養一
    • Organizer
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
    • Year and Date
      2014-03-20
    • Related Report
      2013 Annual Research Report
  • [Presentation] Co-existence of a few and sub μm inhomogeneity in Al-rich AIGaN/AIN quantum wells2014

    • Author(s)
      岩田佳也, 大音隆男, D. Gachet, M. Benameur, R. Banal, 船戸充, 川上養一
    • Organizer
      第61回応用物理学会春季学術講演会
    • Place of Presentation
      青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
    • Year and Date
      2014-03-20
    • Related Report
      2013 Annual Research Report
  • [Presentation] 高Al組成AIGaN/AIN量子井戸における光学利得特性の井戸幅依存性2013

    • Author(s)
      大音隆男, R. G. Banal, 船戸充, 川上養一
    • Organizer
      第74回応用物理学会秋季学術論演会
    • Place of Presentation
      同志社大学, 京都府
    • Year and Date
      2013-09-20
    • Related Report
      2013 Annual Research Report
  • [Presentation] Origin of exciton localization in Al-rich AIGaN/AIN quantum wells2013

    • Author(s)
      T. Oto, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
    • Organizer
      10th Intern. Conf. on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Washington DC, USA
    • Year and Date
      2013-08-27
    • Related Report
      2013 Annual Research Report
  • [Presentation] Exciton localization characteristics in Al-rich AIGaN/AIN quantum wells2013

    • Author(s)
      T. Oto, R. G. Banal, M. Funato and Y. Kawakami
    • Organizer
      32nd Electronic Materials Symposium
    • Place of Presentation
      Laforet Biwako, Shiga
    • Year and Date
      2013-07-10
    • Related Report
      2013 Annual Research Report
  • [Presentation] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における励起子局在の起源2013

    • Author(s)
      大晋隆男, フイアンバナル, 船戸充, 川上養一
    • Organizer
      第60回応用物理学会関係連合講演会
    • Place of Presentation
      神奈川工科大学,神奈川県
    • Year and Date
      2013-03-29
    • Related Report
      2012 Annual Research Report
  • [Presentation] Exciton Localization Phenomena in Al-rich AlGaN/AlN Quantum Wells2012

    • Author(s)
      T. Oto, R. G. Banal, M. funato Y. Kawakami
    • Organizer
      Intern. Workshop on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Sapporo, Hokkaido
    • Year and Date
      2012-10-16
    • Related Report
      2012 Annual Research Report
  • [Presentation] 高Al組成AlGaN/AlN量子井戸における発光メカニズムの励起密度依存性2012

    • Author(s)
      大音隆男, フイアンバナル, 船戸充, 川上養一
    • Organizer
      第73回応用物理学会学術講演会
    • Place of Presentation
      愛媛大学・松山大学,愛媛県
    • Year and Date
      2012-09-12
    • Related Report
      2012 Annual Research Report
  • [Presentation] Emission properties of localized excitons in weakly excited Al-rich AlGaN/AlN quantum wells2012

    • Author(s)
      T. Oto, R. G. Banal, m. Funato Y. Kawakami
    • Organizer
      31st Electronic Materials Symposium
    • Place of Presentation
      Laforet Shuzepji, Shizuoka
    • Year and Date
      2012-07-12
    • Related Report
      2012 Annual Research Report
  • [Presentation] 弱励起した高Al組成AlGaN/AlN量子井戸の局在励起子発光特性2012

    • Author(s)
      大音隆男, Ryan Banal, 船戸充, 川上養一
    • Organizer
      第59回応用物理学会関係連合講演会
    • Place of Presentation
      早稲田大学早稲田キャンパス早稲田中・高等学校興風館
    • Year and Date
      2012-03-17
    • Related Report
      2011 Annual Research Report
  • [Presentation] High power and high efficiency deep ultraviolet emission from AlGaN/AlN quantum wells pumped by an electron beam2011

    • Author(s)
      T.Oto, R.G.Banal, K.Kataoka, M.Funato, Y.Kawakami
    • Organizer
      9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Glasgow, UK
    • Year and Date
      2011-07-13
    • Related Report
      2011 Annual Research Report
  • [Presentation] Well width dependence of the Mott density in Al-rich AlGaN/AlN quantum wells assessed by time-resolved photoluminescence2011

    • Author(s)
      Y.Iwata, T.Oto, A.Kaneta, R.G.Banal, M.Funato, Y.Kawakami
    • Organizer
      9th Intern.Conf.on Nitride Semiconductors
    • Place of Presentation
      Glasgow, UK
    • Year and Date
      2011-07-12
    • Related Report
      2011 Annual Research Report
  • [Remarks]

    • URL

      http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/index.html

    • Related Report
      2013 Annual Research Report
  • [Remarks]

    • URL

      http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/

    • Related Report
      2012 Annual Research Report
  • [Remarks]

    • URL

      http://www.optomater.kuee.kyoto-u.ac.jp/

    • Related Report
      2011 Annual Research Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 紫外線照射装置2011

    • Inventor(s)
      川上養一, 船戸充, 大音隆男, R. G. Banal, 他3名
    • Industrial Property Rights Holder
      京都大学ウシオ電機(株)
    • Filing Date
      2011-05-30
    • Acquisition Date
      2013-02-08
    • Related Report
      2012 Annual Research Report
  • [Patent(Industrial Property Rights)] ULTRAVIOLET IRRADIATION APPARATUS2011

    • Inventor(s)
      Y. Kawakami, M. Funato, T. Oto, R. G. Banal, et al
    • Industrial Property Rights Holder
      Kyoto University Ushio Inc
    • Filing Date
      2011-05-30
    • Acquisition Date
      2013-03-28
    • Related Report
      2012 Annual Research Report
    • Overseas
  • [Patent(Industrial Property Rights)] 紫外線照射装置2001

    • Inventor(s)
      川上養一, 船戸充, 大音隆男, R. Banal, 山口真典, 片岡研, 羽田博成
    • Industrial Property Rights Holder
      京都大学ウシオ電機
    • Filing Date
      2003-03-06
    • Acquisition Date
      2001-09-13
    • Related Report
      2013 Annual Research Report
    • Overseas

URL: 

Published: 2011-12-12   Modified: 2024-03-26  

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