半導体性単層カーボンナノチューブの選択的配向合成技術の開発とデバイス応用
| Project/Area Number |
11J08717
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 国内 |
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| Research Field |
Thermal engineering
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
井ノ上 泰輝 東京大学, 大学院工学系研究科, 特別研究員(DC1)
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| Project Period (FY) |
2011 – 2013
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2013)
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| Budget Amount *help |
¥1,900,000 (Direct Cost: ¥1,900,000)
Fiscal Year 2013: ¥600,000 (Direct Cost: ¥600,000)
Fiscal Year 2012: ¥600,000 (Direct Cost: ¥600,000)
Fiscal Year 2011: ¥700,000 (Direct Cost: ¥700,000)
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| Keywords | 単層カーボンナノチューブ / CVD合成 / 配向合成 / 水晶基板 / 配向制御 |
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| Research Abstract |
高密度に水平配向した半導体単層カーボンナノチューブ(SWNT)を得てデバイス応用することを目指し, 今年度は以下の研究を行った. まず, 合成時の炭素源供給量の低下により水晶基板上での水平配向SWNTの合成密度が増加するという前年度までの研究内容をまとめ, 査読付国際雑誌へ論文を発表した. これは水平配向SWNTの高密度合成のために重要な知見だといえる. さらに, 合成された水平配向SWNTの構造の詳細な評価を行った, 特にSWNTが一方向に醍列している形態を利用して, SWNT一本毎の構造と長さを対応づけて分析した. 原子間力顕微鏡測定を用いてSWNTの直径と長さの関係を調べ, 直径1.0nm以下の比較的小さいSWNTと比較して直径の大きいSWNTは長く成長することが示された. より詳細にSWNTの構造を分析することで, SWNTの構造選択合成への手がかりが得られる可能性がある. また, 合成されたSWNT中には金属SWNTと半導体SWNTが混在することから, 電界効果トランジスタ(FET)への応用のためには金属SWNTを除去する方法が必要とされている. そこで, SWNTを有機膜で覆った状態で通電加熱することで金属SWNTの燃焼範囲を増大するという新手法を提案した, この方法により, 電極間をつなぐSWNTが全長にわたって除去できることを示した. 一度の処理で大面積に金属SWNTを除去できることから, 多数のFETを効率的に作製できる可能性がある. この手法について特許を出願し, 査読付国際雑誌へ論文を投稿した.
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| Strategy for Future Research Activity |
(抄録なし)
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Report
(3 results)
Research Products
(51 results)
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[Presentation] Structured SWNTs and Graphene for Photovoltaic Devices2013
Author(s)
K. Cui, T. Chiba, T. Thurakitseree, X. Chen, H. Kinoshita, P. Zhao, T. Inoue, E. Einarsson, S. Chiashi, S. Maruyama
Organizer
the 5th International Workshop on Nanotube Optics and Nanospectroscopy (WONTON 2013)
Place of Presentation
Santa Fe, New Mexico, USA
Year and Date
2013-06-18
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[Presentation] 光導波路のための高速せん断加工法の開発2012
Author(s)
中林良太, 下田誠, 長藤圭介, 井ノ上泰輝, 千足昇平, 丸山茂夫, 濱口哲也, 中尾政之
Organizer
2012年度精密工学会春季大会学術講演会
Place of Presentation
首都大学東京,東京
Year and Date
2012-03-15
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