| Project/Area Number |
12131209
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Review Section |
Science and Engineering
|
|---|
| Research Institution | Wakayama University |
|---|
Principal Investigator |
伊藤 昌文 和歌山大学, システム工学部, 助教授 (10232472)
|
|---|
| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
堀 勝 名古屋大学, 大学院・工学研究科, 助教授 (80242824)
椎名 達雄 千葉大学, 工学部, 助手 (80304187)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2000 – 2003
|
| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2003)
|
| Budget Amount *help |
¥18,900,000 (Direct Cost: ¥18,900,000)
Fiscal Year 2003: ¥3,800,000 (Direct Cost: ¥3,800,000)
Fiscal Year 2002: ¥6,800,000 (Direct Cost: ¥6,800,000)
Fiscal Year 2001: ¥8,300,000 (Direct Cost: ¥8,300,000)
|
|---|
| Keywords | マイクロマシニング / 電子ビーム励起プラズマ / 高速エッチング / 近接場光 / 近接場露光 / 超解像近接場構造 / Super-RENS / ジアリールエテン / 近接場光学 / リソグラフィ / プラズマエッチング / 高速描画 / ナノマシニング / リングラフィ / 光描画 / 超回折像近接場構造 / フォトクロミック / 亜鉛 / インジウム / ナノメートル加工 |
|---|
| Research Abstract |
1.パルス変調電子ビーム励起プラズマを用いた新規マイクロマシニングプロセス
本研究では光ファイバや非平面の絶縁体材料等の微細加工を可能とする新規マイクロマシニングプロセスを開発した。反応性イオンエッチングに必要とされる自己バイアスのための外部電源なしに、SiO_2など絶縁体の非平面材料に対するエッチングを行うプロセスとして、パルス変調型電子ビーム励起プラズマを用いたエッチングプロセスを提案した。このパルス変調型EBEPを用いることで、従来のDC制御EBEPを用いたエッチングプロセスにおける問題点であった均一性や基板に対する熱ダメージなどが解消でき、SiO_2エッチングにおいて463nm/minという非常に高速で異方性を有したエッチングが実現できた。このSiO_2エッチングレートは従来法である高速原子ビームエッチングプロセスやイオンビームエッチングプロセスと比較すると、数十倍以上である。これらの結果から、我々が提案したパルス変調型EBEPを用いたプロセスは微小な光学素子の組み込んだマイクロマシンなどの製造において、非常に実用的な新たな絶縁体エッチングプロセスとして期待できる。
2.ジアリールエテンを用いた超解像近接場構造による近接場描画
本研究では半導体製造技術における次世代露光技術として、超解像近接場構造による近接場描画技術の開発を行った。従来法ではサーモクロミック層となる部分にジアリールエテンを用いた新規近接場光描画用Super-RENSの開発を試みた。波長442nmのHe-Cdレーザの回折限界は604nmであるが、このSuper-RENSを用いることにより線幅450nmの描画に成功した。またジアリールエテンをスピンコートにより保護膜層上に直接形成可能であることから、従来法で問題となっていたレジストとの密着性や熱ダメージの問題を解決できたと考えられる。
|
