| Project/Area Number |
12875061
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Exploratory Research
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Toyohashi University of Technology |
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Principal Investigator |
石田 誠 豊橋技術科学大学, 工学部, 教授 (30126924)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
高尾 英邦 豊橋技術科学大学, 工学部, 助手 (40314091)
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| Project Period (FY) |
2000 – 2001
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2001)
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| Budget Amount *help |
¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
Fiscal Year 2001: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2000: ¥1,200,000 (Direct Cost: ¥1,200,000)
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| Keywords | VLS成長法 / 選択成長 / 極微細電極 / 神経電位計測 / 脳神経プローブ / MOS集積回路 / 不純物ドーピング / スマートセンサ / 脳神経計測 / 神経電位 / アレイセンサ / 集積回路 |
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| Research Abstract |
本研究では、選択VLS(Vapor-Liquid-Solid)成長技術を用いた挿入型Siプローブ電極と制御回路を集積化したスマート神経電位測定チップを提案し、その実現に必要な基礎技術を確立した。
平成12年度
脳の皮質から神経細胞までの距離は数ミリメートル程度あり、十分に長いSiプローブの成長が課題であった。実験開始当初、2時間で10μm程度の長さのプローブが成長したが、より高い成長圧力に対応した装置構成に変更することで、従来の約10倍の成長速度を得られた。また、成長温度の低温化に関して、最低500℃でのプローブ成長を確認した。よって、集積回路との一体化をより低温・短時間で行うことで、回路へのダメージが少ない成長技術を確立できたと言える。また、VLS成長時には成長の核としてAuドットを用いるが、デバイス特性変動などの悪影響を引き起こす懸念があった。そこでVLS成長時のAu拡散によるMOSFET特性への影響を調査した結果、デバイスへの悪影響は全く無視できる程度と確認された。よってプローブの最適形成条件、一体化に適したMOSFET製作工程を確立することができたといえる。
平成13年度
シリコン電極の基礎的電気的特性(絶縁性、抵抗)と成長条件、不純物ドーピング条件との関係を把握し、設計、試作条件を完成させるべく、リンの拡散炉で不純物拡散を行った。1150℃における液体拡散源を用いたリン拡散工程によって、プローブの抵抗率を4桁以上低減できることを確認することができた。抵抗値としては100Ω以下のものが得られており、生体信号を検出するプローブとしては十分低抵抗のものが実現できる見通しを得た。VLS成長によるCMOSの信頼性テストとして、試作したMOSスイッチ回路とワイヤーを、繰り返しパルス信号印加・計測装置を用いて信号測定を行い、トランジスタとワイヤーの劣化を評価した。その結果、繰り返しパルス印加によるワイヤー特性の劣化は見られず、金ドーピングされたシリコンワイヤーの電気的な不安定性については問題ないとの結論を得た。
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