| Project/Area Number |
13025243
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Review Section |
Science and Engineering
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| Research Institution | Musashi Institute of Technology |
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Principal Investigator |
服部 健雄 武蔵工業大学, 工学部, 教授 (10061516)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
野平 博司 武蔵工業大学, 工学部, 助教授 (30241110)
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| Project Period (FY) |
2001 – 2003
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2003)
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| Budget Amount *help |
¥42,100,000 (Direct Cost: ¥42,100,000)
Fiscal Year 2003: ¥14,000,000 (Direct Cost: ¥14,000,000)
Fiscal Year 2002: ¥14,000,000 (Direct Cost: ¥14,000,000)
Fiscal Year 2001: ¥14,100,000 (Direct Cost: ¥14,100,000)
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| Keywords | 放射光 / 光電子分光法 / 角度分解光電子分光法 / 電子帯構造 / ゲート絶縁膜 / 高誘電率膜 / 希土類金属酸化膜 / 最大エントロピー法 / シリコン酸窒化膜 / シリコン熱酸化膜 / 希土類酸化膜 / 深さ方向分析 / 組成遷移層 / 電子エネルギー損失 / X線光電子分光分析装置 / 0 1s光電子のエネルギー損失 / 電子状態の沁み出し / 価電子に対するエネルギー障壁 / 電子状態から決まる界面 / Si界面構造 / シリコン酸窒化膜の表面粗さ / シリコン酸窒化膜の界面粗さ |
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| Research Abstract |
前年度は、希土類酸化物/Si界面遷移層の角度分解X線励起Gd4d・Lu 4d・Si 2p光電子スペクトル(ARXPs)の解析に最大エントロピー法を適用することにより、Gd_2O_3/Si(100)やLu_2O_3/Si(100)の界面遷移層を構成するシリケート層の組成変化を明らかにした。今年度は、深さ方向組成変化の決定精度をさらに高めるために、先ず深さ方向元素分布を京都大学木村健二教授の開発された高分解能ラザフォード後方散乱測定(HRBS)により決定し、その元素分布に基づいてGd4d・Si 2P光電子スペクトルを解析する方法を提案し、Si(100)面上に形成した膜厚約4nmのガドリニウム酸化膜の深さ方向組成・化学結合状態分析を原子スケールの深さ方向分解能で決定することに成功した。すなわち、Si 2p、Gd 4d、O 1s角度分解光電子スペクトルの測定結果によれば、ガドリニウム酸化膜の光電子スペクトルの化学シフト量がシリコン酸化膜の場合よりも小さく、Gd_2O_3層とSi基板との間に形成される遷移領域がGdシリケート層により形成されていることを示していると考えられる。Gd_2O_3層とGdシリケート層の境界をGd_2O_367mol%、SiO_233mol%、Gdシリケート層とSiO_2層の境界をGd_2O_333mol%、SiO_267mol%、SiO_2層とSi基板との境界をSiO_250mol%、Si 50mol%と各々定義すると、ガドリニウム酸化膜は膜厚1.65nmのGd_2O_3層と膜厚0.7nmのSiO_2層の間に膜厚0.55nmのGdシリケート層が形成されていることを示している。光電子の脱出角15°以下での実験値の定量的検討から、ガドリニウム酸化膜の表面近傍にGd-Si結合が存在することが推論された。
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