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異種結晶構造からなる積層セラミックス薄膜における優先配向現象の解明

Research Project

Project/Area Number 13750624
Research Category

Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

Allocation TypeSingle-year Grants
Research Field Inorganic materials/Physical properties
Research InstitutionTokyo Institute of Technology

Principal Investigator

脇谷 尚樹  東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助手 (40251623)

Project Period (FY) 2001 – 2002
Project Status Completed (Fiscal Year 2002)
Budget Amount *help
¥2,100,000 (Direct Cost: ¥2,100,000)
Fiscal Year 2002: ¥800,000 (Direct Cost: ¥800,000)
Fiscal Year 2001: ¥1,300,000 (Direct Cost: ¥1,300,000)
Keywordsエピタキシャル / バッファーレイヤ / 薄膜 / 強磁性体 / フェライト / 配向制御 / PLD / バッファー層 / RHEED
Research Abstract

単結晶基板上にセラミックス薄膜がエピタキシャル成長する場合,成膜条件によって優先的な配向性が劇的に変化する現象が見られる。申請者は"1nm以下というナノメートルオーダーの膜厚"によって優先的な配向性が決定される現象を見いだした。申請者はSi(001)基板上にニッケルフェライト(NiFe_2O_4)薄膜をエピタキシャル成長させる研究をしていた。エピタキシャル成長フェライト薄膜は(MgO-Al_2O_3)/CeO_2/YSZ構造の3重バッファー層の導入によって初めて実現したが,フェライトの配向性は(MgO-Al_2O_3)薄膜の膜厚によって劇的に変化した。(MgO-Al_2O_3)膜厚が0nmの場合,(111)配向となる,膜厚が0.5nmの場合(111)と(001)の混合配向となったが,(001)の面内配向性はcube-on-cubeであった。膜厚が1nm以上の場合には(001)配向のみとなるが,面内配向性は45°回転に変化していた。
本研究の目的は"ナノメートルオーダーの膜厚によって優先的な配向性が決定される現象"を詳細に検討することを通して,セラミックス薄膜の配向性決定メカニズムの一般化を導くことにある。すなわち,"異種結晶構造からなる積層セラミックス薄膜の配向性決定を支配している結晶化学の構築にある"
14年度には優先配向性の変化の制御を行った。フェライト薄膜をSi(001)基板上へのエピタキシャル成長させるためのバッファー層である(MgO-Al_2O_3)/CeO_2/YSZ3重バッファー層は申請者が見いだしたものであるが,(MgO-Al_2O_3)というのは岩塩構造を持つMgOにAl_2O_3が固溶したものである。ここで,Al_2O_3添加量を変化させることにより岩塩構造の格子定数を(固溶の範囲内で)変化させることができる。このことは,フェライトとバッファー層との格子のミスマッチを設計できること,すなわち,フェライト薄膜にかかる応力の制御が可能となることを意味している。さらに,種々の結晶構造のバッファー層の導入した際にフェライトの配向性がどのようになるかのデータを蓄積することにより,"異種結晶構造からなる積層セラミックス薄膜の配向性決定を支配している因子を明らかにした"。

Report

(2 results)
  • 2002 Annual Research Report
  • 2001 Annual Research Report
  • Research Products

    (7 results)

All Other

All Publications (7 results)

  • [Publications] N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani: "Orientation Control and Properties of Pb(Zr, Ti)O3 thin Films Deposited on Ni-Zn-Ferrite for novel Ferroelectric/Ferromagnetic Memory Applications"Jpn. J. Appl. Phys.. 41. 7242-72418 (2002)

    • Related Report
      2002 Annual Research Report
  • [Publications] N.Wakiya, D.Bao, K.Shinozaki, N.Mizutani: "Preparation and Properties of Novel Ferroelectric and Ferromagnetic Array structure thin Film"Ferroelectrics. 273. 149-154 (2002)

    • Related Report
      2002 Annual Research Report
  • [Publications] N.Wakiya, K.Shinozaki, N.Mizutani: "Preparation and Properties of Novel Heteroepitaxial Metal/Ferroelectric/Metal/Insulator/Semiconductor(MFMIS) structure"Key Engineering Materials. 228-229. 75-80 (2002)

    • Related Report
      2002 Annual Research Report
  • [Publications] Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, Nobuyasu Mizutani: "Preparation of heteroepitaxial Pb(Mg_<1/3>Nb_<2/3>)O_3(PMN)thin film by pulsed laser deposition on Si(001)substrate using La_<0.5>Sr_<0.5>CoO_3(LSCO)/CeO_2/YSZ triple buffer"Thin Solid Films. 384. 189-194 (2001)

    • Related Report
      2001 Annual Research Report
  • [Publications] Hirokazu Ishigaki, Tomoaki Yamada, Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, Nobuyasu Mizutani: "Effect of the Thickness of SiO 2 under Layer on the Initaial Stage of Epitaxial Grwoth Process of Yttria-Stabilized Zirconia(YSZ)Thin Film Deposited on Si(001)Substrate"J. Ceram. Soc. Japan. 109[9]. 766-770 (2001)

    • Related Report
      2001 Annual Research Report
  • [Publications] Naoki Wakiya, Kazuo Shinozaki, Nobuyasu Mizutani: "Preparation and Magnetic Properties of Heteroepitaxial NiFe_2O_4/(MgO-A1_2O_3)/CeO_2/YSZ/Si(001)Thin Film"Key Enginnering Materials. 214-215. 171-176 (2002)

    • Related Report
      2001 Annual Research Report
  • [Publications] Naoki Wakiya, kazuo Shinozaki, Nobuyasu Mizutani: "Proposal and Preparation of Novel Fluorite/Spinel Heteroepitaxial Double Buffer Layer Strucuture on Si(001)for FET-type FRAM Application"Ferroelectrics. 259. 277-282 (2001)

    • Related Report
      2001 Annual Research Report

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Published: 2001-04-01   Modified: 2016-04-21  

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