| Budget Amount *help |
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 2002: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
Fiscal Year 2001: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
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| Research Abstract |
p型シリコンを低い電流密度で陽極酸化すると多孔質シリコンが生成する.多孔質シリコンが生成する電流密度領域の中でも,より低い電流密度のときには,陽極酸化時間とともに多孔質シリコンの生成は不安定になり,均一なナノ多孔質層生成からシリコン壁に隔てられたグレーン構造中にナノ多孔質層が埋まった状態の生成へとその形成過程が変化する.
この形成過程の変化を理解するために,ウエハ抵抗率の異なるいくつかの試料について,陽極酸化の電流密度を変えて多孔質シリコン生成の実験を行った.低電流密度,高いウエハ抵抗率のときに均一層生成からグレーン生成への形成過程の変化が起こりやすかった.得られた結果を正孔の拡散にもとづくモデルで説明することを試みた.提案したモデルで多くの実験結果を説明できるが,定量的な説明は困難であった
これらの多孔質層はアルカリ溶液に浸漬することにより化学的に溶解することが可能である.また,希薄なアルカリ溶液を使うことにより,溶解を容易に制御することができる。ナノ多孔質層の溶解を途中でとめることも可能であった.この方法を適用すると,多様な表面形態を得ることができる.ナノ多孔質層が充填されたグレーン構造の上部にシリコン壁の一部が残っている構造を作ることも可能であった.このような構造の試料を硫酸銅水溶液に浸漬することにより,銅の置換めっきが可能であった.銅は溶けずに残っているナノ多孔質層に優先的に析出し,ナノ多孔質化していないシリコンには析出しなかった.
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