化合物半導体疑似位相整合デバイスを用いた波長変換の研究

Research Project

Project/Area Number	14041203
Research Category	Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
Allocation Type	Single-year Grants
Review Section	Science and Engineering
Research Institution	The University of Tokyo
Principal Investigator	近藤高志東京大学, 大学院/工学系研究科, 助教授 (60205557)
Co-Investigator(Kenkyū-buntansha)	庄司一郎岡崎国立共同研究機構, 分子科学研究所, 助手 (90272385)
Project Period (FY)	2002 – 2003
Project Status	Completed (Fiscal Year 2003)
Budget Amount *help	¥7,000,000 (Direct Cost: ¥7,000,000) Fiscal Year 2003: ¥3,300,000 (Direct Cost: ¥3,300,000) Fiscal Year 2002: ¥3,700,000 (Direct Cost: ¥3,700,000)
Keywords	非線形光学 / 副格子交換エピタキシー / 差周波発生 / 光パラメトリック効果 / 化合物半導体 / 疑似位相整合 / デバイス作製プロセス / 分子線エピタキシー / 擬似位相整合
Research Abstract	1.GaAs導波路型光パラメトリックデバイスの作製と評価赤外域で動作する超小型光パラメトリックデバイスを念頭に置いて,QPM周期7.6μmのGaAs/AlGaAsリッジ型導波路を作製し,長さ2mmのデバイスでパラメトリック蛍光(parametric fluorescence : PF)測定をおこなった。前年度に引き続き,デバイス特性の評価をおこない,温度チューニング特性が設計どおりであること,出力パワーが理論計算と同程度得られており,妥当な特性を発揮していることをあきらかにした。また,伝搬ロスが20dB/cm弱あり,これがデバイスの長尺化を妨げていることもわかった。 2.波長変換デバイスにおける伝搬ロスの影響に関する検討差周波発生デバイス,光パラメトリックデバイス,バックワード光パラメトリックデバイスについて,伝搬ロスがその特性に与える影響をシミュレーションにより評価した。SROの光パラメトリックデバイスの場合は,共振器を構成しているため,わずかな伝播ロスが3桁にも及ぶ発振閾値の増大を招くのに対して,共振器を構成しない差周波発生デバイス,バックワード光パラメトリックデバイスにおいては数db/cmのロスの存在かにおいても発振閾値などの特性パラメータ劣化はfactor程度にとどまることがあきらかとなった。