| Project/Area Number |
14655118
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| Research Category |
Grant-in-Aid for Exploratory Research
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
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| Research Institution | Tokyo Institute of Technology |
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Principal Investigator |
岩本 光正 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 教授 (40143664)
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| Co-Investigator(Kenkyū-buntansha) |
間中 孝彰 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 助手 (20323800)
久保田 徹 情報通信研究機構, 関西先端研究センター, 主任研究員 (00205139)
周 しん 東京工業大学, 大学院・理工学研究科, 準客員研究員
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| Project Period (FY) |
2002 – 2004
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2004)
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| Budget Amount *help |
¥3,400,000 (Direct Cost: ¥3,400,000)
Fiscal Year 2004: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
Fiscal Year 2003: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2002: ¥1,500,000 (Direct Cost: ¥1,500,000)
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| Keywords | フレキシブル / ポリイミド / 有機単電子トンネル素子 / ポリエチレン |
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| Research Abstract |
分子レベルでのフレキシブル性と有機単電子トンネル素子特性の関係を明らかにすることを目指し、研究を進め、ほぼ予定の研究を遂行できたと考えている。具体的研究成果を要約すると以下のようになる。
(1)金属/ポリイミドトンネル層/有機分子/ポリイミドトンネル層/金属(STM電極を含む)からなる素子の中間電極としてデンドリマー、フタロシアン、C60を用い、この有機分子が外部光刺激によって、ポリイミドの空間電荷変化に由来するトンネル接合素子のI-V特性の変化を観測した。
(2)上記特性は、空間電荷の効果を閾値電圧の変化として取り組み、かつ、単一トンネル電子モデルを採用することにより説明できる。
(3)(2)の閾値電圧の変化は、正あるいは負電圧の方向に変化するが、この変化は、ポリイミド膜の正負帯電の方向と同じである。また、その移動量は表面電位測定から見積もることができる。
(4)金属/ポリイミドトンネル層/有機分子/ポリイミドトンネル層/金属(STM電極を含む)からなる素子で、中間電極としてフタロシアン、C60を用いた場合について、I-V特性ならびに微分I-V特性を用いて、そのエネルギー構造を決定することができた。また、分子的考察からそのエネルギー構造が妥当なものであることを示すことができた。
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