| Project/Area Number |
14J01893
|
|---|
| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
|
| Allocation Type | Single-year Grants |
|---|
| Section | 国内 |
|---|
| Research Field |
Electronic materials/Electric materials
|
|---|
| Research Institution | Hokkaido University |
|---|
Principal Investigator |
崔 志欣 北海道大学, 特別研究員(DC2)
|
|---|
| Project Period (FY) |
2014-04-25 – 2016-03-31
|
| Project Status |
Declined (Fiscal Year 2015)
|
| Budget Amount *help |
¥2,000,000 (Direct Cost: ¥2,000,000)
Fiscal Year 2015: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2014: ¥1,100,000 (Direct Cost: ¥1,100,000)
|
|---|
| Keywords | 化合物半導体 / ナノワイヤ |
|---|
| Outline of Annual Research Achievements |
本研究では、まずスピンデバイスへの応用のため、信頼性と均一性をもち、結晶方向の制御が可能なInAsナノワイヤの成長手法を確立する。次に、InAsナノワイヤにおけるスピン伝導特性の評価を行うとともに、InAsナノワイヤデバイスの作製を最適化する。最終的には、InAsナノワイヤで一次元のspin-FETを実現することを目的とする。本年度の研究実施状況は以下の二つ部分である。
①成長条件の最適化とモフォロジーの更に観察:スピン輸送に最も適した結晶方向の[110]のInAsナノワイヤの成長については研究し続けて、成長条件を最適化した。特にシングルナノワイヤ電気評価デバイスを作成するためのInAsナノワイヤ成長を制御することが可能になった。更に、成長したInAsナノワイヤは[110]結晶方位を持つ安定的なZinc-blende結晶構造であることを確認した。また、成長した[110]InAsナノワイヤの断面を確認することにより、今のInAsナノワイヤはダイアモンドの断面をもち、四つの{111}側面を持っていることが分かった。この特徴は、スピン軌道相互作用を有効的に利用することに対して重要であり、成長機構を更に明確することができた。
②電気特性評価とスピン伝導特性の評価:[111]と[110]結晶の二種類のInAsナノワイヤの特性を比較し、室温で[110]の方はより良好な電気伝導特性を持っていることが分かった。[110]InAsナノワイヤの方はWurtzite結晶構造ではなく安定的なZinc-blende結晶構造を持っていることで、スピン輸送に適したことが分かった。また、[110]InAsナノワイヤの移動度とキャリア密度を精確に評価するために、シングルナノワイヤホールデバイス作成するプロセスを開発した。初めて[110]InAsナノワイヤおいて、ホール測定を行うことが成功した。
|
| Research Progress Status |
翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。
|
| Strategy for Future Research Activity |
翌年度、交付申請を辞退するため、記入しない。
|
Report
(1 results)
Research Products
(4 results)
