| Project/Area Number |
14J09221
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| Research Category |
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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| Allocation Type | Single-year Grants |
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| Section | 国内 |
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| Research Field |
Electron device/Electronic equipment
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| Research Institution | The University of Tokyo |
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Principal Investigator |
韓 在勲 東京大学, 工学系研究科, 特別研究員(DC1)
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| Project Period (FY) |
2014-04-25 – 2017-03-31
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| Project Status |
Completed (Fiscal Year 2016)
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| Budget Amount *help |
¥2,800,000 (Direct Cost: ¥2,800,000)
Fiscal Year 2016: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2015: ¥900,000 (Direct Cost: ¥900,000)
Fiscal Year 2014: ¥1,000,000 (Direct Cost: ¥1,000,000)
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| Keywords | III-V/Si hybrid MOS光変調器 / InGaAsP/Si hybrid MOS構造 / Direct wafer bonding / Wafer-bonded MOS界面 / InGaAsP MOS界面 / SiGe MOS型光変調器 / MOS interface / 高移動度チャネル材料 / SiGe / MOS光変調器 |
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| Outline of Annual Research Achievements |
High-k絶縁膜を利用した貼り合わせ法を用いて、電子による屈折率の変化が大きいInGaAsPをSOI(Silicon-on-insulator)上に集積することで、InGaAsP/high-k/Siのhybrid MOS(metal-oxide-semiconductor)構造を形成し、そのMOS構造にたまったキャリアによる高効率な光変調器を実現した。このような構造を有する非対称Mach-Zehnder interferometer光変調器を製作し、既存のSi MOS光変調器より5倍くらいの変調効率の向上を実証した。また、InGaAsPがSiよりキャリアによる損失が2倍程度小さいことから、実際変調をする際の光の損失も小さくなると予測し、光の位相をπシフトさせる時、InGaAsP/Si hybrid MOS構造を用いた方が既存のSiより10倍小さいということを明らかにした。これは、変調効率の向上による必要キャリア数の減少と、InGaAsP中のキャリアによる損失が小さくなったことに起因する。よって、このようなInGaAsP/Si hybrid MOS optical modulatorを提案し実現したことで、既存のSi光変調器の問題点だった低い変調効率と高い変調損失を一挙に解決できる可能性を示せた。また、このデバイスの性能に直結するMOS界面の特性も示した。貼り合わせキャパシタをコンダクタンス法で測定することで、InGaAsPとSiの界面準位密度を測定したところ、10の11乗/eV/cm^2台の低い値を示せた。張り合わせ構造で良好な界面準位密度を実現したことで、高性能なInGaAsP/Si hybrid MOS optical modulatorの実現に成功したといえる。
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| Research Progress Status |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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| Strategy for Future Research Activity |
28年度が最終年度であるため、記入しない。
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